[发明专利]具有复合中心的半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体部分，所述半导体部分包括同一导电类型的一个或多个杂质区、杂质层和介于所述一个或多个杂质区和所述杂质层之间的漂移层，所述漂移层包括与所述杂质层直接邻接的基座层，其中所述基座层中的平均净掺杂剂浓度低于所述杂质层并且高于所述漂移层在所述基座层外的部分，并且其中所述半导体部分由第一表面和第二表面以及在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的外部表面界定，所述第一表面和所述第二表面彼此相对并且彼此平行；

电连接至一个或多个杂质区的第一电极结构，

单元区域，包括多个晶体管单元，每个所述晶体管单元包括所述杂质区中的从所述第一表面延伸并且被配置为有源器件区域的一个或多个杂质区，以及

围绕所述单元区域的边缘区域，所述边缘区域缺乏任何有源区域，所述边缘区域邻接所述半导体部分的外表面并且将所述单元区域从所述外表面分开，其中

晶格空位的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中，并且金属复合元素的原子的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中，

所述金属复合元素的原子聚集在对应于所述晶格空位的位置处，使得第一区域具有第一复合中心密度并且第二区域具有第二复合中心密度，所述第一复合中心密度高于所述第二复合中心密度，

其中所述第一区域包括所述边缘区域的由所述第一表面、所述基座层和所述单元区域界定的部分，以及

其中所述第二区域包括所述单元区域的由所述第一表面、所述基座层和所述边缘区域界定的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述杂质区对应于第一导电类型的源极区，并且所述半导体部分进一步包括所述第一导电类型的漂移区和互补的第二导电类型的体区，在所述单元区域中所述体区将所述源极区与所述漂移区分隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述边缘区域包括由电介质材料填充的端接沟槽以及与所述杂质区的导电类型相对的导电类型的电场成形区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

复合中心密度具有局部最大值，所述局部最大值是在半导体部分的介于所述第一表面和所述第二表面之间的竖直延伸的中间三分之一中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述半导体部分的边缘区域中的复合中心密度超过在所述单元区域中的复合中心密度至少十倍。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

损伤颗粒的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

选自包括氧和碳的组的电惰性元素的原子的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

由变化的晶格常数导致的晶格畸变的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

适配于替代所述半导体部分的晶格原子的附加元素原子的密度在所述边缘区域中高于在所述单元区域中。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述复合中心密度沿着垂直于所述半导体部分的第一表面的垂直方向的分布在所述第一表面和与所述第一表面平行的第二表面之间距离的中间三分之一中具有最大值，所述半导体部分的第一表面朝向所述第一电极结构。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述基座层不具有基于在所述晶格空位处聚集的金属复合元素原子的复合中心。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述单元区域还包括非功能杂质区，所述非功能杂质区在竖直方向上布置在所述导电连接线下方，并且其中所述单元区域的复合中心密度在所述单元区域的有源部分中高于在所述非功能杂质区中。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或多个杂质区是晶体管单元的源极区并且具有与所述杂质区相同的导电类型。