[发明专利]氧化物薄膜晶体管结构制作方法及氧化物薄膜晶体管结构

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供载体；

步骤2、于载体上形成氧化物半导体层(4)；

步骤3、于氧化物半导体层(4)上形成蚀刻阻挡层(5)；

步骤4、在蚀刻阻挡层(5)上形成两个通孔(51、53)，露出部分氧化物半导体层(4)；

步骤5、移除露置于两个通孔(51、53)内的氧化物半导体层(4)的表层，形成两个分别与该两个通孔(51、53)连通的凹槽(41、43)；

步骤6、于蚀刻阻挡层(5)上形成源极(61)与漏极(63)，且该源极(61)填充一个通孔(51)及与其连通的凹槽(41)，从而与氧化物半导体层(4)连接，该漏极(63)填充另一个通孔(53)及与其连通的凹槽(43)，从而与氧化物半导体层(4)连接。

2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，通过化学气相沉积于氧化物半导体层(4)上形成蚀刻阻挡层(5)；通过干蚀刻在蚀刻阻挡层(5)上形成两个通孔(51、53)；通过溅镀于蚀刻阻挡层(5)上形成源极(61)与漏极(63)；通过干蚀刻或者湿蚀刻移除露置于两个通孔(51、53)内的氧化物半导体层(4)的表层。

3.如权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层(5)采用由TEOS+O2或SiH4+N2O化学气相沉积SiOx膜层。

4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述载体包括基板(1)、形成于基板(1)上的栅极(2)及形成于基板(1)与栅极(2)上的栅极绝缘层(3)。

5.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤7，进行后制程，该后制程包括于源极(61)与漏极(63)上形成保护层(7)，以覆盖源极(61)与漏极(63)。

6.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述载体为一基板(1’)。

7.如权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤7，进行后制程，该后制程包括于源极(61)与漏极(63)上形成栅极绝缘层(3’)，并于该栅极绝缘层(3’)上溅镀栅极(2’)。

8.一种氧化物薄膜晶体管结构，包括：氧化物半导体层(4)、位于氧化物半导体层(4)上的蚀刻阻挡层(5)、及位于蚀刻阻挡层(5)上的源极(61)与漏极(63)，所述蚀刻阻挡层(5)设有两个通孔(51、53)，其特征在于，所述氧化物半导体层(4)分别对应该两个通孔(51、53)设置两个凹槽(41、43)，且该两个凹槽(41、43)分别与该两个通孔(51、53)连通，该源极(61)填充一个通孔(51)及与其连通的凹槽(41)，从而与氧化物半导体层(4)连接，该漏极(63)填充另一个通孔(53)及与其连通的凹槽(43)，从而与氧化物半导体层(4)连接。

9.如权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括基板(1)、位于基板(1)上的栅极(2)、位于该基板(1)与栅极(2)上的栅极绝缘层(3)及位于所述源极(61)与漏极(63)上的保护层(7)；所述氧化物半导体层(4)设置于所述栅极绝缘层(3)上。

10.如权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，还包括一基板(1’)、位于源极(61)与漏极(63)上的栅极绝缘层(3’)及位于该栅极绝缘层(3’)上的栅极(2’)；所述氧化物半导体层(4)设置于所述基板(1’)上。