[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，包括多个像素区；

薄膜晶体管，设置在基板上；

第一绝缘层，设置在薄膜晶体管上；

像素电极，与薄膜晶体管连接并且设置在第一绝缘层上；

公共电极，设置在像素电极上并且通过微腔与像素电极分隔；

第二绝缘层，设置在公共电极上；

顶层，设置在第二绝缘层上，顶层的厚度是4μm至50μm；

注入孔，穿过公共电极、第二绝缘层和顶层，注入孔暴露微腔的一部分；

液晶层，填充微腔；以及

覆盖件，在顶层上并且延伸到注入孔中，覆盖件密封微腔。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，顶层的厚度是8μm至50μm。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中，顶层和第二绝缘层之间的角度是45°。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，顶层和第二绝缘层之间的角度是30°至90°。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中，顶层和第二绝缘层之间的角度是45°。

6.如权利要求4所述的显示装置，其中，顶层的倾斜表面具有阶梯形状。

7.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在顶层上的防水层。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中，第二绝缘层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一个。

9.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于顶层上的第三绝缘层。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，第三绝缘层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一个。

11.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：

在基板上形成薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成与薄膜晶体管连接的像素电极；

在像素电极上形成牺牲层；

在牺牲层上形成公共电极；

在公共电极上形成第二绝缘层；

通过将有机材料施加到第二绝缘层上并且将有机材料图案化来形成顶层，顶层的厚度是4μm至50μm；

暴露牺牲层；

通过去除被暴露的牺牲层，在像素电极和公共电极之间形成微腔；

通过将液晶材料注入微腔中来形成液晶层；

通过在顶层上形成覆盖件来密封微腔。

12.如权利要求11所述的方法，其中，顶层的厚度等于或大于8μm。

13.如权利要求11所述的方法，其中，顶层和第二绝缘层之间的角度是30°至90°。

14.如权利要求13所述的方法，其中，顶层和第二绝缘层之间的角度是45°。

15.如权利要求13所述的方法，其中，顶层的倾斜表面具有阶梯形状。

16.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括在形成的顶层上形成防水层。

17.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括通过将第三绝缘层图案化来去除直接形成在牺牲层上的第三绝缘层。

18.如权利要求17所述的方法，其中，将牺牲层灰化，此后，形成第三绝缘层。

19.如权利要求18所述的方法，其中，在牺牲层的灰化期间，直接设置在牺牲层上的第三绝缘层被剥离。