[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

与普通液晶显示技术相比，ADS(Advanced-Super Dimensional Switching，高级超维场开关)型技术能提供更宽的视角、更高的透射率、更宽的相应时间以及更高的亮度和对比度，因此ADS技术受到更多的青睐。

ADS-LCD(Advanced-Super Dimensional Switching-Liquid Crystal Display，高级超维场开关液晶显示器)是将像素电极和公共电极形成在阵列基板上，以使得像素电极和公共电极形成水平电场驱动液晶实现显示。

以ADS型液晶显示器的阵列基板上如图1所示，包括横纵交叉的栅线11、公共电极线12、数据线13、薄膜晶体管30、公共电极14以及像素电极15，其中一个子像素如图1所示，薄膜晶体管30包括栅极31、源极32和漏极33，其中，栅极31与栅线11电连接，源极32与数据线13电连接、漏极33与像素电极15电连接，通过栅线11和数据线13分别向栅极31和源极32提供栅极信号和源极信号，薄膜晶体管30的漏极33向像素电极15充电。同时公共电极14与公共电极线12电连接，通过公共电极线12向公共电极14提供电信号。

如图1所示，现有的像素电极15上设置有多条狭缝40，当公共电极14和像素电极15同时加载电信号，公共电极14和像素电极15在狭缝40位置处形成边缘电场，驱动液晶以进行显示。由于相邻的两个子像素之间设置有栅线或数据线，则显示面板在对应栅线和数据线的位置处电场较弱，液晶难以驱动，造成透过率低，显示延迟等问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，解决了现有的阵列基板上像素电极之间的液晶难以驱动，造成透过率低，显示延迟的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的电极层，其中，所述电极层包括像素电极层和公共电极层，且所述像素电极层和所述公共电极层之间设置有第一绝缘层，所述阵列基板包括多个子像素，所述像素电极层包括多个与所述子像素一一对应的像素电极；所述公共电极层在对应像素电极之间的位置处设置有多个切孔。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个子像素，所述方法包括：在衬底基板上形成像素电极层，其中，所述像素电极层包括多个与子像素一一对应的像素电极；在衬底基板上形成第一绝缘层；在衬底基板上形成公共电极层，其中，所述公共电极层在对应各像素电极的位置处设置有多条狭缝，且在对应像素电极之间的位置处设置有多个切孔。

本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的阵列基板。

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括多个子像素，所述像素电极层包括多个与所述子像素一一对应的像素电极；所述公共电极层在对应像素电极之间的位置处设置有多个切孔。像素电极和公共电极层在对应切孔的位置处分别形成电场，驱动像素电极之间的位置处的液晶偏转，避免了像素电极之间的液晶延迟造成的透过率低等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种阵列基板俯视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板俯视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法示意图；

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的具体制作方法示意图；

图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的具体制作方法示意图。

附图标记：