[发明专利]一种波导及其制备方法在审
| 申请号： | 201410277027.5 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104076439A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 翟彦芬;张巍;黄翊东;彭江得 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波导 及其 制备 方法 | ||
1.一种波导制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上制备一层低折射率层；
在所述低折射率层上制备硫化物玻璃薄膜层，该硫化物玻璃薄膜层为光传输层；
在所述光传输层上制备导引结构；
其中，所述低折射率层的折射率小于所述光传输层的折射率，所述导引结构的折射率小于所述光传输层的折射率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上制备一层低折射率层，包括：
当低折射率层的材料为无机材料时，采用等离子体增强的化学气相沉积方式或磁控溅射或电子束蒸发方式在衬底上制备一层低折射率层；
当低折射率层的材料为有机树脂材料时，采用旋涂方式在衬底上制备一层低折射率层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述低折射率层上制备硫化物玻璃薄膜层，包括：
采用热蒸发的方式在所述低折射率层上制备硫化物玻璃薄膜层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述光传输层上制备导引结构，包括：
当所述导引结构为无机材料时，采用光刻-抬离方式在所述光传输层上制备导引结构；
当所述导引结构为透明紫外固化胶时，采用光刻紫外固化的方法在所述光传输层上制备导引结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导引结构的宽度为500nm-10μm。
6.一种波导，其特征在于，所述波导包括：
衬底、低折射率层、光传输层、导引结构；
所述低折射率层位于衬底上；
所述光传输层位于所述低折射率层上，所述光传输层是由硫化物玻璃制备的硫化物玻璃薄膜层；
所述导引结构位于所述光传输层上；
所述低折射率层的折射率小于所述光传输层的折射率，所述导引结构的折射率小于所述光传输层的折射率。
7.根据权利要求6所述的波导，其特征在于，所述衬底的材料为：硅、石英玻璃或蓝宝石。
8.根据权利要求6所述的波导，其特征在于，所述低折射率层的材料为：二氧化硅、氮化硅、低折射率树脂或透明紫外固化胶。
9.根据权利要求6所述的波导，其特征在于，所述光传输层的材料为：硫化砷玻璃、硒化砷玻璃或锗砷硒玻璃。
10.根据权利要求6所述的波导，其特征在于，所述导引结构的材料为：二氧化硅、氮化硅、低折射率树脂或透明紫外固化胶。
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