[发明专利]湿刻蚀设备及方法有效
| 申请号: | 201410276096.4 | 申请日: | 2014-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN104064456A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
| 发明(设计)人: | 柴立 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种湿刻蚀设备,其特征在于,包括:
能够喷淋刻蚀液的喷淋装置;
能够存储刻蚀液的储液槽;以及
用于夹持待刻蚀的玻璃基板的夹持机构,所述夹持机构与所述储液槽的侧壁内壁相邻地设置,并使得所述玻璃基板的具有光学膜层的一侧能够承接来自所述喷淋装置的刻蚀液,
其中,所述夹持机构能够沿所述储液槽的深度方向运动,并相应地带动所述玻璃基板沿所述储液槽的深度方向运动。
2.根据权利要求1所述的湿刻蚀设备,其特征在于,所述夹持机构包括:
位于所述玻璃基板的背离所述储液槽的底部的一侧的夹具;以及
位于所述玻璃基板的朝向所述储液槽的底部的一侧的托持件。
3.根据权利要求2所述的湿刻蚀设备,其特征在于,所述夹持机构还包括夹具转轴,所述夹具转轴的轴向方向垂直于所述储液槽的深度方向,且平行于与其相邻的所述储液槽的侧壁的延伸方向,所述夹具能够围绕所述夹具转轴转动。
4.根据权利要求3所述的湿刻蚀设备,其特征在于,所述夹具和所述托持件均构造为从与所述储液槽的侧壁相邻的位置处延伸出来的具有平坦表面的板体,且在垂直于所述夹具转轴的轴向方向的方向上,所述托持件的尺寸大于相应的所述夹具的尺寸。
5.根据权利要求4所述的湿刻蚀设备,其特征在于,所述夹具能够在平行且贴合于所述玻璃基板的位置和垂直于所述玻璃基板的位置之间转动,所述托持件垂直于所述储液槽的侧壁。
6.根据权利要求5所述的湿刻蚀设备,其特征在于,所述夹持机构构造为通过轨道、链条、顶杆、电磁部件或位于所述储液槽的侧壁内壁上的卡槽中的一种或多种方式来运动。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的湿刻蚀设备,其特征在于,沿俯视视角观测,所述储液槽为矩形,在所述矩形的长边和短边上均等间隔地布置有所述夹持机构。
8.根据权利要求1到6中任一项所述的湿刻蚀设备,其特征在于,在所述储液槽下部设置有运输辊,所述储液槽通过所述运输辊进行移动。
9.一种湿刻蚀方法,其特征在于,包括:
a)设置根据权利要求1到8中任一项所述的湿刻蚀设备;
b)向所述储液槽中添加设定量的刻蚀液;
c)通过所述夹持机构将待刻蚀的玻璃基板夹持住;
d)当需要采用浸渍模式来进行刻蚀时,所述夹持机构沿深度方向朝向所述储液槽的底部运动,使得所述玻璃基板浸没于所述储液槽中的刻蚀液中;
当需要采用喷淋模式来进行刻蚀时,所述夹持机构沿深度方向背离所述储液槽的底部运动,使得所述玻璃基板与所述储液槽中的刻蚀液分离并承接来自所述喷淋装置的刻蚀液。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在步骤d)中,针对同一个玻璃基板,其相对两侧的所述夹持机构在所述储液槽的深度方向上的位置不同,以使所述玻璃基板倾斜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





