[发明专利]硅光电倍增探测器有效
| 申请号： | 201410276066.3 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104022130B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 韩德俊;李晨晖;赵天琦;何燃 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)11504 | 代理人： | 宋林清 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 倍增 探测器 | ||
1.一种硅光电倍增探测器，由10至10万个雪崩光电二极管(APD)单元集成在同一个硅外延片上组成，正面电极位于器件的表面，背面电极在硅衬底一侧，在横向方向，APD单元之间由所围绕的PN结的较深耗尽区所隔离，在纵向方向，每个APD单元都串联一个雪崩淬灭电阻，雪崩淬灭电阻由所述硅外延片外延层制备，所有APD单元在器件表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，所述重掺杂硅电阻层用作位置灵敏探测时的分流电阻，其特征是：所述正面电极有4个，分别位于探测器的四条边上，即呈四边形布局，每个正面电极独立输出信号。
2.一种硅光电倍增探测器，由10至10万个雪崩光电二极管(APD)单元集成在同一个硅外延片上组成，正面电极位于器件的表面，背面电极在硅衬底一侧，在横向方向，APD单元之间由所围绕的PN结的较深耗尽区所隔离，在纵向方向，每个APD单元都串联一个雪崩淬灭电阻，雪崩淬灭电阻由所述硅外延片外延层制备，所有APD单元在器件表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，所述重掺杂硅电阻层用作位置灵敏探测时的分流电阻，其特征是：所述正面电极有4个，分别位于探测器的四个角上，即呈钉扎型布局，每个正面电极独立输出信号。
3.一种硅光电倍增探测器，由10至10万个雪崩光电二极管(APD)单元集成在同一个硅外延片上组成，正面电极位于器件的表面，背面电极在硅衬底一侧，在横向方向，APD单元之间由所围绕的PN结的较深耗尽区所隔离，在纵向方向，每个APD单元都串联一个雪崩淬灭电阻，雪崩淬灭电阻由所述硅外延片外延层制备，所有APD单元在器件表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，所述重掺杂硅电阻层用作位置灵敏探测时的分流电阻，其特征是：所述正面电极有2个，由二个相互平行并与探测器边沿平行的金属电极条构成，每个正面电极独立输出信号。
4.如权利要求1所述的硅光电倍增探测器，其特征在于：所述硅外延片导电类型为P型或N型。
5.如权利要求1所述的硅光电倍增探测器，其特征在于：所述重掺杂硅电阻层的导电类型为N型或P型。
6.如权利要求2所述的硅光电倍增探测器，其特征在于：所述硅外延片导电类型为P型或N型。
7.如权利要求2所述的硅光电倍增探测器，其特征在于：所述重掺杂硅电阻层的导电类型为N型或P型。
8.如权利要求3所述的硅光电倍增探测器，其特征在于：所述硅外延片导电类型为P型或N型。
9.如权利要求3所述的硅光电倍增探测器，其特征在于：所述重掺杂硅电阻层的导电类型为N型或P型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
