[发明专利]基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料、制备方法及其在光催化材料方面的应用

权利要求书

1.一种基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料，其特征在于，化合物分子式为[Cu^I₂(L¹)₃(H₆PW₁₁Cu^IIO₃₉)]或[Cu^II₂(L¹)₂(H₂O)₂(HPMo₁₂O₄₀)]·3H₂O 中的一种；其中：L¹为丁基吡唑有机配体。

2.根据权利要求1所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料，其特征在于：所述丁基吡唑有机配体为3-丁基吡唑。

3.一种制备如权利要求1所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料的方法，其特征在于：按如下步骤实施：

（1）将高压反应釜中的Cu(NO₃)·3H₂O、Keggin型多金属氧酸盐及丁基吡唑有机配体加入去离子水，搅拌形成悬浮混合物；所述Keggin型多金属氧酸盐为Keggin型多酸H₃PW₁₂O₄₀·29H₂O或Keggin型多酸H₃PMo₁₂O₄₀·29H₂O形成的多金属氧酸盐;

（2）将NaOH溶液加入步骤（1）所述悬浮混合物中，调pH=4.0～5.0，经升温，保温，梯度降温后，得到块状蓝绿色晶体；再经清洗，晾干后，即得目的产物。

4.根据权利要求3所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料的方法，其特征在于：所述丁基吡唑有机配体为3-丁基吡唑。

5.根据权利要求4所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，NaOH溶液的浓度为：1.0mol/L。

6.根据权利要求5所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，升温至160℃，保温5天。

7.根据权利要求6所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料的方法，其特征在于：所述步骤（2）中，升温时升温速率为 80℃/小时～90℃/小时，降温时降温速率为10℃/小时。

8.根据权利要求7所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，的去离子水的加入量为高压反应釜容积的60%。

9.一种如权利要求1所述基于丁基吡唑铜配合物修饰的Keggin型晶态材料在光催化材料方面的应用。