[发明专利]固态成像装置、其制造方法、照相机、成像器件和装置无效
申请号: | 201410275543.4 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104241306A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 荻野昌也 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 照相机 器件 | ||
1.一种包括像素阵列的固态成像装置,在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的光电转换部分的焦点检测像素,
其中,成像像素和焦点检测像素各自包括:包含在光电转换部分上形成的绝缘层和遮蔽部分的部件,以及设置在部件上的微透镜,以及
成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件,所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
2.根据权利要求1的装置,其中
平板状部件从互连层的下侧到互连层的上侧跨着互连层被设置。
3.根据权利要求1的装置,其中
满足以下条件中的至少一个:
成像像素的部件的折射率的积分值大于焦点检测像素的部件的折射率的积分值,以及
成像像素的部件中的光路长度大于焦点检测像素的部件中的光路长度。
4.根据权利要求1的装置,其中
部件展示出在与基板表面垂直的方向上的在平板状部件中的折射率变化。
5.一种包括像素阵列的固态成像装置,在所述像素阵列中布置有包含在半导体基板上形成的光电转换部分的成像像素、以及包含在所述半导体基板上形成的至少两个光电转换部分的焦点检测像素,
其中,成像像素和焦点检测像素各自包括:包含在光电转换部分上形成的绝缘层的部件,以及设置在部件上的微透镜,以及
成像像素和焦点检测像素中的至少一个的部件包含平板状部件,所述平板状部件具有与绝缘层的折射率不同的折射率。
6.根据权利要求1或5的装置,其中
成像像素的微透镜和焦点检测像素的微透镜由具有相同的折射率的材料制成并具有相同的形状。
7.一种照相机,包括:
在权利要求1~6中的任一项中限定的固态成像装置;以及
处理器,被配置为处理从固态成像装置输出的信号。
8.一种包括成像像素和焦点检测像素的固态成像装置的制造方法,所述方法包括:
在具有多个光电转换部分的半导体基板上形成部件;以及
在形成部件之后,通过与所述多个光电转换部分对应地设置多个微透镜,形成成像像素和焦点检测像素,
其中,形成部件包含:在成像像素和焦点检测像素中的至少一个中形成平板状部件。
9.根据权利要求8的方法,其中
形成部件包含:在用作焦点检测像素的部分中形成遮蔽部分,以及
遮蔽部分被定位为仅使光瞳图像的一部分进入焦点检测像素的光电转换部分。
10.根据权利要求8的方法,其中
成像像素具有所述多个光电转换部分中的一个光电转换部分和所述多个微透镜中的一个微透镜,以及
焦点检测像素具有所述多个光电转换部分中的两个光电转换部分和所述多个微透镜中的一个。
11.根据权利要求8的方法,其中
形成部件包括:在半导体基板上形成第一绝缘层,在第一绝缘层上形成遮蔽部分,并在遮蔽部分上形成第二绝缘层,以及
在第一绝缘层和第二绝缘层中的至少第二绝缘层上形成平板状部件。
12.一种成像器件,包含在半导体基板上形成的光电转换部分,并包含被布置为彼此相邻的成像像素和焦点检测像素,
其中,成像像素和焦点检测像素包含:具有相同的透镜形状和相同的折射率的微透镜、以及包含在微透镜与半导体基板之间形成的部件和设置在部件中的互连层的结构,
成像像素具有设置在互连层中的第一开口,并且焦点检测像素具有比第一开口小并被设置在互连层中以执行相位差检测的第二开口,以及
成像像素和焦点检测像素中的一个的部件包含具有不同折射率的两个部件,以在焦点检测像素中使微透镜的图像形成位置位于比光电转换部分更接近第二开口的第一位置处,并在成像像素中使微透镜的图像形成位置位于比第一位置更接近光电转换部分的第二位置处。
13.根据权利要求12的器件,其中
所述两个部件之间的界面具有凹形形状或凸形形状。
14.根据权利要求12的器件,其中
所述两个部件之间的界面具有平面形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的