[发明专利]具有自充电的场电极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一掺杂类型的漂移区域；

在所述漂移区域与器件区域之间的结；

在所述漂移区域中的多个场电极结构，所述多个场电极结构在所述漂移区域中的半导体器件的电流流动方向上彼此间隔开，所述多个场电极结构中的每个场电极结构包括：

场电极；以及

与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的耦合区域，所述耦合区域被电耦合至所述器件区域并且被耦合至所述多个场电极结构中的每个场电极结构的场电极；

其中所述多个场电极结构中的每个场电极结构还包括：

与所述场电极相邻的场电极电介质，被布置在场和所述漂移区域之间并且具有开口；以及

场停止区域和生成区域中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述耦合区域邻接以下各项中的至少一个：所述场电极、所述场停止区域、所述生成区域和所述场电极电介质。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述耦合区域仅在所述场电极电介质的区域中邻接所述场电极结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场停止区域具有所述第一掺杂类型，并且比所述漂移区域更高地被掺杂。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场停止区域通过所述场电极电介质的所述开口将所述场电极连接至所述漂移区域和所述耦合区域中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场停止区域至少部分地被布置在所述场电极电介质内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述场停止区域完全被布置在所述场电极电介质内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中接触区域被布置在所述场电极与所述场停止区域之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场停止区域完全分隔所述场电极与所述漂移区域。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场电极的区段邻接所述漂移区域。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场停止区域和所述生成区域中的至少一个在垂直于所述半导体器件的电流流动方向的方向上延伸越过所述场电极电介质进入所述漂移区域不多于200纳米。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场停止区域和所述生成区域中的至少一个在垂直于所述半导体器件的电流流动方向的方向上不延伸越过所述场电极电介质。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述生成区域通过所述场电极电介质的所述开口将所述场电极连接至所述漂移区域。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述生成区域被布置在所述场电极中。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述生成区域至少部分地被布置在所述场电极电介质内。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述生成区域完全被布置在所述场电极电介质内。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述生成区域包括在所述场电极与所述漂移区域之间的界面区域。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述生成区域包括空隙。