[发明专利]一种去除晶圆表面颗粒的方法在审
| 申请号： | 201410273539.4 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105225924A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈晋;徐友峰;宋振伟;李翔 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 表面 颗粒 方法 | ||
1.一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤，
步骤一：提供一待清洗晶圆，所述晶圆的表面覆盖有介质薄膜，所述介质薄膜中粘附有若干颗粒；
步骤二：通过湿法刻蚀去除一定厚度的所述介质薄膜；
步骤三：通过刷片工艺对已去除一定厚度的所述介质薄膜表面进行清洗。
2.根据权利要求1所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤二中的刻蚀时间为10s～40s。
3.根据权利要求1所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤二中的刻蚀温度为20℃～30℃。
4.根据权利要求1所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤一中，所述介质薄膜的材质为氮化硅，且表面颗粒含有硅的成分。
5.根据权利要求4所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤二中，通过湿法刻蚀所述介质薄膜的刻蚀量为。
6.根据权利要求1所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤二中，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸以及溶质含有HF的混合溶液。
7.根据权利要求6所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤二中，所述湿法刻蚀的溶液为HF与HNO3的混合溶液。
8.根据权利要求6所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述混合溶液中，所述HF与HNO3的体积比为(1:25)～(1:50)。
9.根据权利要求8所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述混合溶液中，所述HF与HNO3的体积比为1:35。
10.根据权利要求1所述的一种去除晶圆表面颗粒的方法，其特征在于：所述步骤二中，所述湿法刻蚀的溶液为磷酸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410273539.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具备WiFi通讯的网络存储共享装置
- 下一篇：调频近端机远程监控设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
