[发明专利]一种近红外传感芯片及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种基于离子液体-聚吡咯纳米颗粒的近红外光传感芯片，其特征在于：它包括聚二甲基硅氧烷基片、2个盖玻片和2个电极； 

2个所述盖玻片分别贴附于所述聚二甲基硅氧烷基片的上表面和下表面，且为密封配合； 

所述聚二甲基硅氧烷基片上设有一通孔；所述通孔内填充有聚吡咯纳米颗粒和离子液体的混合物； 

2个所述电极均穿过所述聚二甲基硅氧烷基片与所述混合物接触。 

2.根据权利要求1所述的近红外光传感芯片，其特征在于：所述混合物中，所述聚吡咯纳米颗粒的质量百分含量为0.1％～5.0％； 

所述聚吡咯纳米颗粒的粒径为40nm～60nm。 

3.根据权利要求1或2所述的近红外光传感芯片，其特征在于：所述离子液体为1-辛基-3-甲基咪唑醋酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑醋酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑醋酸盐中任一种。 

4.权利要求1-3中任一项所述近红外光传感芯片的制备方法，包括如下步骤： 

(1)在所述聚二甲基硅氧烷基片上打孔得到所述通孔； 

(2)将2个所述盖玻片分别与所述聚二甲基硅氧烷基片的上表面和下表面进行加热键合； 

(3)向所述通孔内注入所述聚吡咯纳米颗粒与所述离子液体的混合物； 

(4)将2个所述电极接入至所述通孔内，且与所述混合物接触，即得到所述近红外光传感芯片。 

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述加热键合的温度为65℃～80℃，时间为8h～12h。 

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，在所述加热键合之前，所述方法还包括对所述盖玻片的表面和所述聚二甲基硅氧烷基片的表面进行Plasma处理的步骤； 

所述Plasma处理的时间为2～3min。 

7.根据权利要求4-6中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，在注入所述混合物之前，向所述聚二甲基硅氧烷基片插入两个针头，且所述针头与所述通孔相连通； 

通过注射器和一个所述针头向所述通孔内注入所述混合物； 

所述针头的直径与所述电极的直径比为0.75～0.8：1。 

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，所述接入电极的步骤为： 

拔出所述针头，将所述电极插入至所述针头所在的缝隙内。 

9.权利要求1-3任一项所述近红外光传感芯片在制备近红外传感器中的应用。 

10.权利要求1-3任一项所述近红外光传感芯片在检测近红外光强度中的应用。