[发明专利]一种冷等离子处理的花生育种方法

权利要求书

1.一种冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：对花生原材料进行冷等离子体处理，所述冷等离子体处理的条件为：以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，1～500W的处理功率下对花生原材料进行15～20秒的非电离幅射处理。

2.根据权利要求1所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述花生原材料为花生种子。

3.根据权利要求1所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述处理功率为10～220W，所述非电离幅射处理的时间为15～18s。

4.根据权利要求1所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述处理功率为20～220W，所述非电离幅射处理的时间为15～18s。

5.根据权利要求1所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述处理功率为140～220W，所述非电离幅射处理的时间为18s。

6.根据权利要求1所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述处理功率为180W，所述非电离幅射处理的时间为18s。

7.根据权利要求1所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述花生的品种为如下任一品种：山花11号、青花7号、花育33号、青花6号、花育34号、山花12号、山花9号、花育31号、花育30号、临花5号、花育32号、山花10号、花育28号、花育27号、山花7号、花育25号、临花6号、山花8号、花育26号、丰花6号、花育23号、丰花3号。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：还包括以下步骤：对花生种子进行冷等离子体处理后，选育具有目标性状的花生。

9.根据权利要求8所述的冷等离子处理的花生育种方法，其特征在于：所述目标性状是指：与未经任何处理的同一批相同品种的花生种子相比，具有以下特征之一或两种以上：种子发芽能力提高；株高降低；主根长增长；须根长增长；百苗鲜重增加；第一侧枝长增长；总分枝数增加；单株饱果数增加；单株瘪果数减少；百果重增加；百仁重增加；出仁率增加；产量增加。

10.权利要求1～9中任一项所述的冷等离子处理的花生育种方法在花生育种中的应用。