[发明专利]一种像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，其包括：

一基板，其上设置有：

第一公共电极线，具有一缝隙的非连续分布线；

第二公共电极线，与该第一公共电极线交叉设置围成像素区域；

一数据线，设置在该像素区域的垂直方向上，且穿过该第一公共电极线的该缝隙；

一扫描线，设置在该像素区域的水平方向上，且与该数据线彼此交叉设置；

一主动元件，设置于该数据线与该扫描线交叉区域；

一像素电极，且通过一第一接触孔与该主动元件电性连接；

一存储电极，配置于该像素电极的下方，且与该第一公共电极线与该第二公共电极线的投影重叠，且该存储电极通过一第二接触孔与该像素电极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第二公共电极线上下贯穿，且与该第一公共电极线同层交叉。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该第一、二公共电极线与该数据线同层，该第二公共电极线平行于该数据线。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该存储电极配置于该第一公共电极线与该第二公共电极线投影区域的左上角和右下角的第一区域，且该存储电极在非该投影重叠部分配置第二凸块区域，其上形成该第二接触孔，用于与该像素电极之间的等电位连接。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该存储电极配置于该第一公共电极线与该第二公共电极线投影区域的左下角和右上角第一区域，且该存储电极在非该投影重叠部分配置第二凸块区域，其上形成该第二接触孔，用于与该像素电极之间的等电位连接。

6.如权利要求4或5所述的像素结构，其特征在于：在该像素电极的下方，该存储电极的该第一区域与该第一公共电极线与该第二公共电极线的投影区域部分重叠形成存储电容。

7.如权利要求4或5所述的像素结构，其特征在于：在该像素电极的下方，该存储电极的该第一区域与该第一公共电极与该第二公共电极的投影区域完全重叠形成存储电容。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该第一、二公共电极线配置于该像素电极的下方，且与该像素电极部分重叠。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该第一、二公共电极线下方，存储电极与该第一、二公共电极线重叠部分为1um以上。

10.一种如权利要求1所述像素结构的制作方法，其包括以下步骤：

步骤a,在一基板上，形成第一层金属薄膜图案，其包括扫描线，存储电极；

步骤b,在该第一金属层的图案上，形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案；

步骤c,在该半导体层的图案上，形成第二层金属薄膜图案，其包括数据线，第一、第二公共电极线，薄膜晶体管的源极、漏极；

步骤d,在该第二金属层图案上，形成透明的保护绝缘层，在该保护绝缘层的上方形成透明的有机绝缘膜，然后形成薄膜晶体管漏极上方的第一接触孔，以及存储电极上方的第二接触孔；

步骤e,在该有机绝缘膜和该接触孔的上方形成像素电极。