[发明专利]一种FinFET器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410272670.9 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105336611A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制作方法 | ||
1.一种FinFET器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；
在所述鳍片的顶面形成硬掩膜层；
对所述鳍片的两侧面分别进行第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入；
去除所述硬掩膜层，以露出所述鳍片的顶面；
对所述鳍片的顶面进行垂直离子注入；
执行退火工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片为硅鳍片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料选自氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或者无定形碳中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度范围为20埃至500埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鳍片的顶面上形成所述硬掩膜层的步骤为：
在所述鳍片露出的所有侧面和顶面上沉积形成所述硬掩膜层；
去除所述鳍片的所有侧面上的所述硬掩膜层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述鳍片的所有侧面上的所述硬掩膜层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述硬掩膜层之前还包括在所述鳍片之间形成浅沟槽隔离结构的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一倾斜离子注入的角度范围为135°～178°，所述第二倾斜离子注入的角度范围为2°～45°。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述硬掩膜层之前还包括在所述鳍片的两侧及顶部形成栅极结构的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
