[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：

提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出；

将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇在该聚乙烯醇溶液中的质量百分含量小于或等于2％；

使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的该聚乙烯醇溶液中的溶剂固化变为冰；

通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及

通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的冰并使该聚乙烯醇留于该代替基底与该碳纳米管阵列之间，去除冰后该碳纳米管阵列维持该形态使该碳纳米管结构仍能够从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。

3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底的表面与该碳纳米管阵列的第二表面之间通过冰紧密结合，使该代替基底与该生长基底相远离时该碳纳米管阵列与该生长基底分离。

4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有该聚乙烯醇溶液的步骤包括：

在该碳纳米管阵列的第二表面形成一层聚乙烯醇溶液；以及

将该代替基底的表面接触该具有聚乙烯醇溶液的第二表面。

5.如权利要求4所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的聚乙烯醇溶液中的溶剂变为冰的步骤包括以具有0℃以下温度的代替基底接触该具有聚乙烯醇溶液的第二表面。

6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有该聚乙烯醇溶液的步骤包括：

在该代替基底的表面形成一层聚乙烯醇溶液；以及

将该代替基底具有聚乙烯醇溶液的表面接触该碳纳米管阵列的第二表面。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的聚乙烯醇溶液中的溶剂变为冰的步骤包括将该代替基底、聚乙烯醇溶液、碳纳米管阵列及生长基底的层叠结构放入低温箱中降温至0℃以下。

8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，在该分离的过程中，该碳纳米管阵列中的所有碳纳米管为同时脱离该生长基底。

9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管阵列中的碳纳米管沿该碳纳米管的生长方向脱离该生长基底。

10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该生长基底中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底的碳纳米管生长表面。

11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该聚乙烯醇在该聚乙烯醇溶液中的质量百分含量为0.1％～2％。

12.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出；

将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇在该聚乙烯醇溶液中的质量百分含量小于或等于2％；

使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间的聚乙烯醇溶液中的溶剂固化变为冰；

通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；

通过升温去除位于该代替基底与该碳纳米管阵列之间的冰并使该聚乙烯醇留于该代替基底与该碳纳米管阵列之间，去除冰后该碳纳米管阵列维持该形态使该碳纳米管结构仍能够从该碳纳米管阵列中连续地拉出；以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。