[发明专利]TFT阵列基板结构在审
| 申请号： | 201410271512.1 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104007590A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴川;罗时勋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 板结 | ||
1.一种TFT阵列基板结构，包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4)，所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44)，在子像素之间设有数据线(6)，在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8)，其特征在于，在相邻的两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10)，在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12)，所述像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10)。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述像素电极主干(10)位于所述数据线(6)上方。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述像素电极主干(10)的宽度小于在所述两个子像素(4)之间的黑色矩阵(2)的宽度。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述两个子像素的两个主区域(42)内的像素电极分支(12)共同形成X形。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于,所述两个子像素的两个次区域(44)内的像素电极分支(12)共同形成X形。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述两个子像素的两个主区域(42)与两个次区域(44)内的像素电极分支(12)共同形成X形。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述像素电极主干(10)与像素电极分支(12)由氧化铟锡制成。
8.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述TFT阵列基板结构用于垂直配向型液晶显示面板。
9.如权利要求1所述的TFT阵列基板结构，其特征在于，所述TFT阵列基板结构用于曲面液晶显示面板。
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