[发明专利]一种晶体夹持结构及晶体夹持焊接方法

权利要求书

1.一种晶体夹持结构，其包括上盖及底座，所述上盖和所述底座相互配合构成一个容置部，所述容置部收容包裹好铟片的晶体，其特征在于，所述上盖开设有多条工艺槽，所述工艺槽朝所述上盖的内部延伸，所述底座开设有连通所述容置部的导铟槽。

2.如权利要求1所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述上盖朝向所述底座的表面开设有第一收容槽，所述底座朝向所述上盖的表面为倾斜表面，其开设有第二收容槽，所述第一收容槽和所述第二收容槽相匹配，且共同构成所述容置部。

3.如权利要求2所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述上盖开设有三条所述工艺槽，其中两条所述工艺槽开设于所述上盖远离所述底座的表面，另一条所述工艺槽开设于所述第一收容槽的底部，且和所述第一收容槽连通。

4.如权利要求2所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述第二收容槽的底部开设有导铟槽，所述导铟槽和所述第二收容槽连通。

5.如权利要求1所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述上盖和所述底座均为紫铜材料，且表面镀金。

6.如权利要求1所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述容置部的内表面和所述底座的底面均采用抛光处理。

7.如权利要求1所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述容置部和所述包裹好铟片的晶体为负公差配合。

8.如权利要求1所述的晶体夹持结构，其特征在于，所述上盖和所述底座通过螺钉固定。

9.一种晶体夹持焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：

S101、将包裹好铟片的晶体放到底座上，并采用固定件固定上盖和底座，形成一个整体结构；

S103、将所述整体结构放至真空加热炉内，对所述真空加热炉抽真空后在预设温度下进行加热；

S105、待所述真空加热炉内温度升至所述预设温度后，保持预定时间后关闭所述真空加热炉的加热装置，并静置至所述真空加热炉内温度自然冷却到室温；

S107、去除所述固定件，即完成晶体夹持焊接。

10.如权利要求9所述的晶体夹持焊接方法，其特征在于，所述预设温度为170-180℃，所述预定时间为15-30分钟。