[发明专利]JFET器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种JFET器件，漂移区由形成于第一导电类型掺杂的衬底上的第二导电类型掺杂的第一深阱区组成；体区包括第二导电类型掺杂的第二深阱区和沟道区；沟道区位于第一深阱区和第二深阱区之间，沟道区包括两个以上等间隔排列的第二导电类型掺杂的第三深阱区，相邻第三深阱区之间的间隔区的掺杂杂质由相邻的第三深阱区的扩散杂质组成；三个深阱区的工艺条件相同。通过调节深阱区的杂质浓度、各间隔区的宽度和数量来调节JFET器件的夹断电压。本发明还公开了一种JFET器件的制造方法。本发明能够降低夹断电压，且夹断电压调节方便，易于满足对多种不同夹断电压的需求。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种结型场效应管(JFET)器件。本发明还涉及一种JFET器件的制造方法。

背景技术

如图1所示，是现有JFET器件的剖面图，以高压(HV)N型沟道JFET器件为例说明如下：HV NJFET器件一般由两部分组成，一部分为漏(Drain)端的漂移区101，另一部分为体区102。漂移区102主要起耐高压的目的，因为需要耐高压，需要做以一个较深(Deep)且较淡的N阱(NW)即DNW104，DNW104形成于P型衬底103中。但由于DNW104不能太淡，会影响导通电阻，需要做的相对浓些，另外加一层反型注入层(PTOP)110以平衡其电荷，即通过PTOP110的平衡作用能够使得漂移区在增加浓度时还能保持较高的耐压能力。体区102也是由DNW104组成；在体区102中形成有由P型杂质注入形成的P阱105，P阱105作为栅极区，位于P阱105正下方的DNW104为沟道区。DNW104的选定区域表面分别形成有由N+区组成的源区106和漏区107，在P阱105表面形成有由P+区组成的栅极引出区108；源区106和P阱105相隔一定的距离，场氧隔离区109形成在P阱105和漏区107之间的DNW105表面，场氧隔离区109能够局部场氧隔离层(LOCOS)。在场氧隔离区109的靠近漏端的表面形成有由多晶硅组成的漏端多晶硅场板111。源区106、漏区107和栅极引出区108分别通过接触孔112和顶部金属层113并分别引出源极S、漏极D和栅极G。其中漏端多晶硅场板111也通过接触孔112和顶部金属层113引出到漏极D。衬底103在选定区域的表面也形成有引出区并连接到栅极G，通过所述P阱105和和所述衬底103共同来对沟道区进行夹断，最后形成的JFET器件为纵向夹断器件。

现有HV NJFET器件的沟道区是由一种DNW104的N型杂质组成，当DNW104(源极S端)和PW105(栅极G端)反偏时，DNW104开始进行耗尽，直到沟道区通路被耗尽夹断，这样夹断电压较高。除了夹断电压高外，现有JFET器件的夹断电压完全由DNW104、PW105和衬底103的掺杂杂质的浓度决定，只要工艺一定，其夹断电压的大小相对固定，也即JFET器件的夹断电压的调节不方便，当同一晶圆衬底上需要形成多种不同夹断电压的JFET器件时，需要对各器件的DNW104、PW105和衬底103的杂质浓度进行调节，这会增加工艺复杂度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种JFET器件，能够降低夹断电压，且夹断电压调节方便，易于满足对多种不同夹断电压的需求。为此，本发明还提供一种JFET器件的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的JFET器件包括漂移区和体区，所述漂移区和所述体区横向接触。

所述漂移区由形成于第一导电类型掺杂的衬底上的第二导电类型掺杂的第一深阱区组成；漏区由形成于所述第一深阱区的选定区域中的第二导电类型重掺杂区组成；在所述漏区的顶部引出漏极。

所述体区包括第二导电类型掺杂的第二深阱区和沟道区，在所述第二深阱区的选定区域中形成有由第二导电类型重掺杂区组成的源区；在所述源区的顶部引出源极。

所述沟道区位于所述第一深阱区和所述第二深阱区之间且所述沟道区的两侧分别与所述第一深阱区和所述第二深阱区中的一个横向接触；所述源区和所述漏区分别和所述沟道区相隔一段距离。