[发明专利]X射线光罩结构及其制备方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种X射线光罩结构及其制备方法，特别涉及一种具有高精密度及高刚性的X射线光罩结构及其制备方法。

背景技术

电子束及X射线的微影技术。其中，X射线微影技术可提供较细小的高深宽比结构，因而受到较多关注。X射线微影系统的一个关键元件就是光罩，其包含一个对X射线透明的支撑基板及形成于其上方的X射线吸收图案。一般而言，用于制备光罩的支撑基板的各式材料必须对X射线相对透明，以增加曝光对比。

上文之“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开提供一种具有高精密度及高刚性的X射线光罩结构及其制备方法。

本公开的X射线光罩结构的制备方法的一实施例，包含下列步骤：提供一支撑基板，具有一顶面及一底面；形成一顶层于该顶面及一底层于该底面，该底层具有一开口；局部去除该开口曝露的该支撑基板以形成至少一薄部于该支撑基板中；以及形成多个X射线吸收图案于该至少一薄部上方的该顶层上。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板形成一堆叠薄膜，其包含该顶层及该至少一薄部。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板形成至少一凹部于该支撑基板的该底面，且该至少一凹部由该支撑基板的一墙部环绕。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板形成该至少一凹部，其未穿透该支撑基板。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板形成该至少一薄部，其由该支撑基板的该墙部环绕。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板包含进行化学蚀刻、等离子体蚀刻、激光剥蚀、机械加工或其组合。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，该支撑基板包含硅、玻璃、石英或其组合。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，该顶层包含钡、钛、硅、石墨、氮化物、氧化物、或碳化物。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，该至少一薄部的厚度介于0.01微米至100微米。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，该顶层的厚度介于10纳米至10微米。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，所述多个X射线吸收图案包含金、铂、钨、铪、铅、钽、或其组合。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，形成所述多个X射线吸收图案包含进行电镀、机械加工、沉积、激光剥蚀、印刷、或粒子束加工。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，形成所述多个X射线吸收图案包含形成一种晶层于该顶层上。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，形成所述多个X射线吸收图案包含形成一光阻层，具有多个设置于该至少一薄部上方的孔洞，其中所述多个X射线吸收图案形成于所述多个孔洞之中。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板形成多个薄部。

在本公开的X射线光罩结构的制备方法的另一个实施方式中，局部去除该开口曝露的该支撑基板形成多个凹部于该支撑基板的该底面，且所述多个凹部由该支撑基板的一墙部环绕。

本公开的X射线光罩结构的一实施例，包含一支撑基板，其为一体成型且具有至少一薄部，该至少一薄部由一墙部环绕；一顶层，设置于该支撑基板的该至少一薄部上，其中该顶层及该至少一薄部形成一堆叠薄膜；以及多个X射线吸收图案，设置于该至少一薄部上方的该顶层上；其中该至少一薄部及该墙部提供机械支撑予该顶层，且该堆叠薄膜提供机械支撑予该多个X射线吸收图案。

在本公开的X射线光罩结构的一个实施方式中，该支撑基板具有至少一凹部，其未穿透该支撑基板，且该至少一凹部由该支撑基板的一墙部环绕。

在本公开的X射线光罩结构的另一个实施方式中，该至少一薄部的厚度介于0.01微米至100微米。

在本公开的X射线光罩结构的另一个实施方式中，该顶层的厚度介于10纳米至10微米。

在本公开的X射线光罩结构的另一个实施方式中，该支撑基板包含硅、玻璃、石英或其组合。