[发明专利]深沟槽电容器

权利要求书

1.一种形成电容器结构的方法，包括：

在衬底内形成的凹槽的底部区域和侧壁上方及衬底的表面上方沉积第一介电层；

在所述第一介电层上方沉积第一厚度的第一导电层，其中，所述第一厚度在所述表面、所述底部区域和所述侧壁上是基本均匀的，所述第一导电层具有第一上平面；

在所述第一导电层上方沉积第二介电层；

在所述第二介电层上方沉积第二厚度的第二导电层，其中，所述第二导电层填充未由所述第一导电层填充的所述凹槽的剩余部分，并且其中，所述第二厚度在所述表面上是基本均匀的，所述第二导电层具有第二上平面，并且所述第二上平面与所述第一上平面共面；

去除所述第二导电层和所述第二介电层不在所述凹槽内的部分；

去除所述表面上的所述第一导电层和所述第一介电层不在所述凹槽的局部区域内的部分；以及

将第一接触件形成至所述表面上方的所述第一导电层，将第二接触件形成至所述凹槽上方的所述第二导电层，并且将第三接触件形成至所述衬底的掺杂区域内的衬底，

其中，所述第一导电层和所述第二导电层用作所述电容器结构的电极板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用化学机械抛光去除部分所述第二导电层和部分所述第二介电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，结合所述化学机械抛光，利用所述第二导电层和所述第二介电层的回蚀刻以去除部分所述第二导电层和部分所述第二介电层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，利用图案化和蚀刻工艺以去除部分所述第一导电层和部分所述第一介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括将接触件形成至所述衬底的所述表面上方的所述第一导电层的暴露的顶面，将接触件形成至所述凹槽上方的所述第二导电层，以及将接触件形成至所述掺杂区域内的所述衬底。

6.一种电容器结构，包括：

均匀厚度的多层第一导电层，设置在凹槽的底部区域和侧壁上方及衬底的表面上方，其中，所述凹槽形成在所述衬底的掺杂区域内，所述多层第一导电层通过多层第一介电层彼此分隔开并且和所述衬底分隔开，并且所述多层第一导电层的处于最顶部的第一导电层具有第一上平面；

第二导电层，设置在所述多层第一导电层上方，其中，所述第二导电层填充未由所述多层第一导电层填充的所述凹槽的剩余部分，并且其中，所述第二导电层通过第二介电层与所述第一导电层分隔开，所述第二导电层具有第二上平面，并且所述第二上平面与所述第一上平面共面；

多个第一接触件，其中，对于每层第一导电层，第一接触件连接至所述衬底的所述表面上方的所述第一导电层的暴露的顶面；

第二接触件，连接至所述凹槽上方的所述第二导电层；以及

第三接触件，连接至所述电容器结构的局部区域内的所述衬底，

其中，所述多层第一导电层和所述第二导电层用作所述电容器结构的电极板。

7.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，所述多层第一介电层或所述第二介电层包括氧化物/氮化物/氧化物。

8.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，所述多层第一导电层或所述第二导电层包括多晶硅。

9.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，所述衬底包括p型硅衬底。

10.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，所述掺杂区域包括n型掺杂剂。

11.根据权利要求10所述的电容器结构，其中，所述n型掺杂剂包括磷、砷或锑。

12.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，所述电容器结构通过接合引线、硅通孔或接合焊盘电连接至集成电路。

13.根据权利要求6所述的电容器结构，其中，所述电容器结构位于动态随机存取存储器存储单元内。