[发明专利]一种集成模块堆叠结构和电子设备有效

专利信息
申请号: 201410268444.3 申请日: 2014-06-16
公开(公告)号: CN105206602B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 刘杨 申请(专利权)人: 联想(北京)有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;王智
地址: 100085 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 模块 堆叠 结构 电子设备
【说明书】:

发明公开一种集成模块堆叠结构和电子设备,所述集成模块堆叠结构包括第一集成模块、第二集成模块和连接层,所述连接层设置于所述第一集成模块和所述第二集成模块之间,所述连接层的布线根据所述第一集成模块和所述第二集成模块进行设置,所述连接层上设置用于电性连接所述第一集成模块和所述第二集成模块,以使得所述第一集成模块和所述第二集成模块之间能够进行数据传输。

技术领域

本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种集成模块堆叠结构和电子设备。

背景技术

随着半导体产业的发展,对半导体芯片的集成度与小型化要求越来越高。为满足半导体芯片的集成度与小型化的要求,封装技术亦不断精进,各种不同的堆叠封装技术也陆续被开发,并且越显得重要。

常见封装技术包括打线键合(Wire bonding)封装、覆晶键合(Flip-chipbonding)封装以及由此衍生出的层叠封装(Package On Package)、硅通孔(ThroughSilicon Via,TSV)封装、扇出型晶圆级封装(Fan Out Wafer Level Package,FOWLP)等。

现有的扇出型晶圆级封装的上集成模块和下集成模块是通过在下集成模块的封装体外围设置连接管脚,通过将下集成模块上的芯片的输入输出走线向四面扇出到外围的连接管脚,以而实现上集成模块和下集成模块之间在堆叠方向上的电性互连。

由于所述连接管脚设置于所述下集成模块的封装体的外围时,需要避让开所述下集成模块上的芯片的位置,因此,连接管脚的位置会受到下集成模块上的芯片的影响。

但是在本申请的发明人在实现本申请技术方案的过程中,至少发现上述现有技术存在如下技术问题:

由于所述连接管脚的位置会受到下集成模块上的芯片的影响,因此,在下集成模块上的芯片不同时,需要根据芯片更改所述连接管脚,从而使得对不同芯片的集成模块进行封装的效率较低。

发明内容

本申请提供一种集成模块堆叠结构和电子设备,解决了现有技术中在下集成模块上的芯片不同时,需要根据芯片更改所述连接管脚,而使得对不同芯片的集成模块进行封装的效率较低的技术问题。

本申请提供一种集成模块堆叠结构,所述集成模块堆叠结构包括第一集成模块、第二集成模块和连接层,所述连接层设置于所述第一集成模块和所述第二集成模块之间,所述连接层的布线根据所述第一集成模块和所述第二集成模块进行设置,所述连接层上设置用于电性连接所述第一集成模块和所述第二集成模块,以使得所述第一集成模块和所述第二集成模块之间能够进行数据传输。

优选地,所述第一集成模块包括第一基板和固定于所述第一基板上第一芯片;所述第二集成模块包括第二基板和固定于所述第二基板上的第二芯片;所述连接层为单独元件,或者为所述第一基板和第二基板的一部分。

优选地,所述连接层为所述第二基板的一部分,所述第二芯片位于所述第二基板上与所述第一集成模块相背的一侧。

优选地,所述连接层为单独元件,所述第二芯片位于所述第二基板和所述连接层之间。

优选地,所述第一基板上设置有至少一个第一数据传输点,所述第二基板上设置有至少一个第二数据传输点,所述连接层上设置有第一接触点和与所述第一接触点电性连接的第二接触点;

其中,所述第一接触点与所述第一数据传输点电性接触,所述第二接触点与所述第二数据传输点电性接触,以使得所述第一集成模块和所述第二集成模块之间能够进行数据传输。

优选地,所述第一接触点和所述第二接触点位于所述连接层上相背的两个表面上。

优选地,所述第一基板上还设置有第三数据传输点,所述第二基板上还设置有第四数据传输点和与所述第四数据传输点相背的第五数据传输点,所述第五数据传输点用以与所述第四数据传输点和所述第二芯片电性连接;

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