[发明专利]背照式图像传感器像素及图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器像素，包括置于半导体基体中的感光器件、置于背面的彩色滤光片和微透镜、置于正面绝缘介质中的金属互连线，其特征在于，所述正面设有曲面型镜面反光涂层。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器像素，其特征在于，所述曲面型镜面反光涂层的曲率半径与所述微透镜表面的曲率半径相同或不相同。

3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器像素，其特征在于，所述曲面型镜面反光涂层的材料包括金属铝和/或金属银。

4.根据权利要求3所述的背照式图像传感器像素，其特征在于，所述曲面型镜面反光涂层的材料的厚度大于或等于100nm。

5.根据权利要求4所述的背照式图像传感器像素，其特征在于，所述曲面型镜面反光涂层距离所述感光器件的距离大于或等于100nm。

6.根据权利要求5所述的背照式图像传感器像素，其特征在于，所述曲面型镜面反光涂层涂在硅磷玻璃绝缘介质上。

7.一种图像传感器，其特征在于，该图像传感器设有权利要求1至6任一项所述的背照式图像传感器像素。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为CCD型图像传感器或CMOS型图像传感器。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为可见光图像传感器或不可见光近红外图像传感器。

10.一种权利要求1至6任一项所述的背照式图像传感器像素的制作方法，其特征在于，包括步骤：

a.芯片正面的后端金属工艺完成后，淀积氮化硅保护层，氮化硅厚度不小于200nm；

b.旋涂光刻胶；

c.曝光并显影，在预定区域光刻胶开口；

d.干法刻蚀，将光刻胶开口区域的氮化硅保护层去除；

e.清洗光刻胶，将所有光刻胶去除；

f.旋涂光刻胶，光刻胶厚度大于步骤a中氮化硅厚度200nm；

g.曝光并显影，仅在预定区域处留光刻胶；

h.加热，150摄氏度～250摄氏度，融化光刻胶至微透镜形状，之后，冷却使光刻胶变硬；

i.干法刻蚀，将微透镜状光刻胶刻蚀完毕后，继续刻蚀下面的绝缘介质，刻蚀的表面最低点距离感光器件不小于100nm；

j.曲面型镜面反光涂层材料淀积，使用的方法包括金属耙材溅射和金属蒸汽淀积，并且反光涂层的厚度不小于100nm；

k.旋涂光刻胶；

l.曝光并显影，在预定区域处留光刻胶；

m.干法刻蚀，将非光刻胶处的金属材料刻蚀完毕后，继续刻蚀掉保护层氮化硅；

n.清洗光刻胶，将所有光刻胶去除；

o.淀积绝缘介质硅磷玻璃，将反光涂层之上的孔填平；

p.化学机械研磨，将步骤o中的绝缘介质研磨至平整。