[发明专利]一种CdSe量子点及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410267256.9 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104030256A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 李福山;郭太良;吴家祺;查得斯科马来;吴薇 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;C09K11/88
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 cdse 量子 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种CdSe量子点的制备方法,其特征在于:选用Se粉作为硒源,乙酸镉二水合物(C4H5CdO4·2H2O)作为镉源,使用溶剂配制成Se前体溶液和Cd前体溶液,将Se前体溶液快速注入到Cd前体溶液中,在90-160℃反应2~30分钟,制得CdSe量子点。

2.根据权利要求1所述的CdSe量子点的制备方法,其特征在于:使用三辛基膦作为硒粉的溶剂,在60℃超声30分钟后,配制成Se前体溶液。

3.根据权利要求1所述的CdSe量子点的制备方法,其特征在于:用油酸、1 -十八碳烯和正辛胺作为乙酸镉二水合物的溶剂,在130℃下搅拌30分钟,得到Cd前体溶液。

4.根据权利要求1所述的CdSe量子点的制备方法,其特征在于:两种溶液在氮气氛围中反应。

5.根据权利要求1所述的CdSe量子点的制备方法,其特征在于:在Se前体溶液和Cd前体溶液反应后,在反应液中加入己烷/甲醇溶液进行沉淀纯化,后用丙酮离心、沉淀,得到CdSe量子点。

6.一种如权利要求1所述的制备方法制得的CdSe量子点,其特征在于:所制得的CdSe量子点,其晶体结构为闪锌矿结构,荧光发射峰的半宽高为34.6nm,尺寸为4.3±0.1nm。

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