[发明专利]LED 芯片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及芯片制作领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

随着第三代半导体技术的蓬勃发展，半导体照明以节能，环保，亮度高，寿命长等优点，成为社会发展的焦点，也带动了整个行业上中下游产业的方兴未艾。GaN基LED芯片是半导体照明的“动力”，近年来其性能得到大幅提升，生产成本也不断降低，为半导体照明走进千家万户做出突出贡献。

传统的LED芯片为正装结构，其是从正面出光。正装结构的LED芯片，其正面布有可以与P型GaN层形成欧姆接触的透明导电层，透明导电层越厚，导电性越好，然而其吸光越多。在此基础上，不易使透明导电层同时获得高的光提取效率和好的导电性能，鱼与熊掌不可兼得。另外，正装结构的LED芯片，其P型电极和N型电极均设置在正面，具有严重的挡光效果。以上两方面的因素很大程度上影响了LED芯片的外量子效率。

此外，传统的大功率型LED芯片(如5W、10W等)大多是通过在后期封装过程中，将多颗LED芯片的焊盘以串、并联形式封装在本身具有电路结构的支架中而得到的。这种方式对封装技术要求很高，串并联时打线多，不但工艺繁复，而且产品的可靠性难以保证。

发明内容

本发明旨在提供一种LED芯片及其制作方法，以解决现有技术中将多颗LED芯片的焊盘进行打线时工艺繁复的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种LED芯片，包括多个LED子芯片，其中，LED芯片中，不同的LED子芯片的电极之间通过引线以串联和/或并联的形式直接连接。

进一步地，LED子芯片的电极之间通过引线连接，相互连接的LED子芯片的电极之间具有引线凹槽，引线形成在引线凹槽中。

进一步地，LED子芯片的电极和电极之间的引线为一体成型。

进一步地，多个LED子芯片包括：第一外接子芯片、第二外接子芯片以及串联子芯片组，串联子芯片组包括n个串联子芯片，其中n≥1；其中，当n＝1时，串联子芯片组中的串联子芯片的P电极与第一外接子芯片的N电极相连，串联子芯片组中的串联子芯片的N电极与第二外接子芯片的P电极相连；

当n≥2时，串联子芯片组中包括第1串联子芯片和第n串联子芯片，其中，第1串联子芯片的P电极与第一外接子芯片的N电极相连；第n串联子芯片的N电极与第二外接子芯片的P电极相连；串联子芯片组的n个串联子芯片中，沿第1串联子芯片至第n串联子芯片方向，后一串联子芯片的P电极与前一串联子芯片的N电极依次相连形成串联结构。

进一步地，多个LED子芯片包括多组串联子芯片组；每一组串联子芯片组中，第1串联子芯片的P电极与第一外接子芯片的N电极相连，第n串联子芯片的N电极与第二外接子芯片的P电极相连。

进一步地，多个LED子芯片中，多组串联子芯片组中串联子芯片的数量n值相同或不同。

进一步地，多个LED子芯片中，多组串联子芯片组中串联子芯片的数量n值都为1。

进一步地，每一个串联子芯片包括两个芯粒，每一个串联子芯片中的两个芯粒共享一个P电极或共享一个N电极。

进一步地，第一外接子芯片的P电极上具有P型焊盘，第二外接子芯片的N电极上具有N型焊盘，优选P型焊盘、N型焊盘和LED子芯片的电极及电极之间的引线为一体成型。

进一步地，LED芯片的多个LED子芯片呈阵列式结构排列，优选阵列式结构的形状为矩形、圆形、三角形或五角形。

进一步地，LED子芯片为倒装结构。

根据本发明的另一方面，还提供了一种LED芯片的制作方法，包括在衬底上形成多个LED子芯片的步骤，其中，在形成多个LED子芯片的步骤中，包括形成LED子芯片的电极的步骤，以及使不同的LED子芯片的电极通过引线以串联和/或并联的形式直接连接的步骤。

进一步地，形成多个LED子芯片的电极的步骤包括：形成各LED子芯片的电极沟槽，并根据所欲形成的各LED子芯片电极的串联和/或并联关系，同时在电极沟槽之间形成引线凹槽；在电极沟槽中形成各LED子芯片的电极，同时在引线凹槽中形成引线。

进一步地，形成各LED子芯片的电极和引线之后或同时，在第一外接子芯片的P电极上形成P型焊盘，以及在第二外接子芯片的N电极上形成N型焊盘。