[发明专利]一种LED倒装芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED倒装芯片，包括蓝宝石衬底（1）、LED外延片和依次设置在蓝宝石衬底（1）上的n型GaN层（2）、量子阱有源区（3）、p型GaN层（4）和金属反射层（5），刻蚀所述n型GaN层（2）以形成n型GaN层裸露区域，其特征在于，在所述的p型GaN层（4）与金属反射层（5）之间依次设有透明导电层（6）和介质反射层（7）；所述介质反射层（7）上设有通孔，所述金属反射层（5）通过该通孔延伸至与透明导电层（6）相连接；在n型GaN裸露层和金属反射层（5）上分别设有n和p电极。

2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述透明导电层（6）的材料可以是氧化铟锡ITO或者氧化锌。

3.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述介质反射层（7）可以是二氧化硅、氧化钛和氧化铝的多层组合结构，层数不少于两层。

4.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述介质反射层（7）的通孔均匀分布。

5.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述LED外延片可以是蓝光、绿光、紫外或红光外延片。

7.如权利要求1所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，通过MOCVD在蓝宝石衬底上自下而上依次生成n型GaN层、量子阱有源区和p型GaN层，通过干法刻蚀所述n型GaN层以形成n型GaN层裸露区域；

步骤S2，在p型GaN层上方镀一层透明导电层，再对透明导电层进行光刻和刻蚀使其覆盖p型GaN层，之后通过合金使透明导电层与p型GaN层形成欧姆接触；

步骤S3，接着在透明导电层上通过气相沉积制作多层介质反射层，通过光刻和刻蚀在介质反射层内形成深度从该层延伸至透明导电层的通孔；

   步骤S4，再在介质反射层上蒸镀一层金属反射层，并使得金属反射层通过通孔延伸至与透明导电层相连接；

   步骤S5，最后分别在n型GaN裸露层和金属反射层上制作n、p电极。

8.如权利要求7所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于，透明导电层（6）的制备可以是蒸镀或溅射工艺。

9.如权利要求7所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于，所述金属反射层（5）的材料可以是银或者铝。