[发明专利]发光器件和照明系统

说明书

技术领域

本实施方案涉及发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。

背景技术

发光器件(LED)包括具有使电能转换成光能的特性的p-n结二极管。p-n结二极管可以通过组合周期表的第III-V族元素来形成。发光器件通过调整化合物半导体的组成比可以表现各种颜色。

当正向电压施加于LED时，n层的电子与p层的空穴结合，使得可以生成与导带和价带之间的能隙对应的能量。该能量主要实现为热或光，并且LED将该能量作为光发射。

例如，氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽带隙能量，使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件领域已引起关注。特别地，已经开发并且广泛使用了采用氮化物半导体的蓝光、绿光、紫外光发光器件。

根据相关技术，使用基于蚀刻的表面纹理化以改进光提取效率。然而，器件的可靠性和发光效率由于由蚀刻造成的对GaN外延层的损坏而降低。

此外，基于蚀刻的表面纹理化使再现性劣化。

发明内容

本实施方案提供了一种能够改进光提取效率同时维持器件的可靠性的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。

根据本实施方案，提供了一种发光器件，其包括：第一电极层(87)；在第一电极层(87)上的第二导电半导体层(13)；在第二导电半导体层(13)上的有源层(12)；在有源层(12)上的第一导电半导体层(11)；在第一导电半导体层(11)上的Al_yGa_1-yN层(16)(其中，0＜y≤1)；在Al_yGa_1-yN层(16)上的In_xGa_1-xN图案(15)(其中，0＜x≤1)；在In_xGa_1-xN图案(15)上的氮化镓半导体层(14)；以及在氮化镓半导体层(14)上的焊盘电极(81)。

根据本实施方案，提供了一种发光器件，其包括：衬底(5)；在衬底(5)上的氮化镓半导体层(14)；在氮化镓半导体层(14)上的In_xGa_1-xN图案(15)(其中，0＜x≤1)；在In_xGa_1-xN图案(15)上的Al_yGa_1-yN层(16)(其中，0＜y≤1)；在Al_yGa_1-yN层(16)上的第一导电半导体层(11)；在第一导电半导体层(11)上的有源层(12)；以及在有源层(12)上的第二导电半导体层(13)。

根据本实施方案，提供了一种照明系统，其包括发光单元，该发光单元包括发光器件。

本实施方案可以提供能够改进光提取效率同时维持器件的可靠性的发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。

附图说明

图1是示出了根据第一实施方案的发光器件的截面图。

图2是示出了根据第二实施方案的发光器件的截面图。

图3至图5是示出了根据实施方案的发光器件的制造过程的截面图。

图6是示出了根据实施方案的发光器件封装件的截面图。

图7是示出了包括根据实施方案的发光器件的照明系统的实施例立体分解图。

具体实施方式

下文中，将参照附图描述根据本实施方案的发光器件、发光器件封装件以及照明系统。

在实施方案的描述中，要理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在有中间层。此外，要理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它可以直接在另一层下，并且也可以存在有一个或更多个中间层。此外，还要理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它可以是这两个层之间唯一的层，或者也可以存在有一个或更多个中间层。

(实施方案)

图1是示出了根据第一实施方案的发光器件100的截面图。