[发明专利]采用虚拟源模拟刻度探测器探测效率的方法及装置

权利要求书

1.采用虚拟源刻度探测器探测效率的装置，其特征在于：

包括虚拟点源(1)、虚拟线源或线源(2)、虚拟面源(3)、体源(4)、探测器(5)、面源(6)、点源(7)、准直锥形发射点源(8)；

所述虚拟面源(3)、面源(6)和体源(4)位于探测器(5)的正上方；所述虚拟点源(1)、虚拟线源(2)、点源(7)位于探测器(5)轴线上；

所述体源(4)、面源(6)、点源(7)、虚拟点源(1)、虚拟线源(2)及虚拟面源(3)必须针对同一种核素并发射同样的能量射线。

2.一种虚拟源刻度探测器探测效率的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)确定点源(7)和面源(6)的探测效率随高度变化的拟合函数；

首先将标准点源(7)或面源(6)置于探测器上表面对称轴上不同位置，获取其探测效率，得到点源(7)和面源(6)探测效率与其高度的拟合函数分别如式(1)和(2)；

ε_p(h)＝a·e^b·h   (1)

ϵd(h)=1c·h2+d·h+e---(2)]]>

式中：

ε_p(h)、ε_d(h)分别表示点源(7)和面源(6)在不同高度时的探测效率；

a、b、c、d、e表示拟合参数，h表示高度；

2)确定虚拟点源(1)、虚拟线源(2)、虚拟面源(3)的位置：

2.1)确定体源(4)的虚拟点源(1)的位置：

根据体源(4)的探测效率ε_v等于步骤2式(1)中应变量ε_p(h)可推出它的虚拟点源(1)位置，用公式可表示为式(3)：

ϵv=ϵp(h)=a·eb·h⇒hp,v=ln(ϵva)/b---(3)]]>

2.2)同理可得面源(3)的虚拟点源(1)的位置确定式(4)：

ϵd=ϵp(h)=a·eb·h⇒hp,d=ln(ϵda)/b---(4)]]>

式中：

h_p,d表示面源(6)的虚拟点(1)位置，其中d表示面源(6)，p表示点源(7)；

h_p,v表示体源(4)的虚拟点(1)位置，其中v表示体源(4)；

2.3)体源(4)的虚拟线源(2)可以通过其上下底面的虚拟点位置确定虚拟线源(2)的上下端；

2.4)确定体源(4)的虚拟面源(3)的位置：

根据体源(4)距晶体一定距离的探测效率ε_v等于公式(2)中ε_d(h)可推出它的虚拟面源(3)的位置，用公式表示为：

ϵv=ϵd(h)=1c·h2+d·h+e⇒hd---(5)]]>

式中：h_d表示体源(4)的虚拟面源(3)位置。