[发明专利]基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器及其形成方法

权利要求书

1.一种基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器，其特征在于，包括：

基底，所述基底中形成有贯穿所述基底顶表面和底表面的检测窗口；

两个异质悬臂梁，每个所述异质悬臂梁位于所述基底之上，每个所述异质悬臂梁的固定端与所述基底相连，自由端悬空在所述检测窗口之上；

单壁碳纳米管薄膜，所述单壁碳纳米管薄膜桥接于所述两个异质复合悬臂梁的两个自由端之间，

其中，所述异质悬臂梁包括第一材料层和位于所述第一材料层之上的第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的热膨胀系数不相同。

2.根据权利要求1所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器，其特征在于，所述检测窗口的顶部面积小于底部面积。

3.根据权利要求1所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器，其特征在于，所述第一材料层为SiN_x，所述第二材料层为Al。

4.根据权利要求1所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器，其特征在于，所述单壁碳纳米管薄膜是通过双向电泳法制备的。

5.根据权利要求1所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器，其特征在于，还包括：

钝化层，所述钝化层位于所述基底与所述两个异质悬臂梁之间，以及位于所述基底下表面。

6.一种基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底之上依次形成第一材料层和第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的热膨胀系数不相同；

在所述第一材料层和第二材料层中形成开口，所述开口贯穿所述第一材料层底表面和所述第二材料层顶表面；

对所述基底进行背面刻蚀，所述进行背面刻蚀的位置与所述开口对应，以使所述基底中形成贯穿所述基底顶表面和底表面的检测窗口，并使所述开口附近的所述第一材料层和第二材料层形成两个异质悬臂梁的自由端；

形成单壁碳纳米管薄膜，所述单壁碳纳米管薄膜桥接于所述两个异质复合悬臂梁的两个自由端之间。

7.根据权利要求6所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器的形成方法，其特征在于，所述检测窗口的顶部面积小于底部面积。

8.根据权利要求6所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器的形成方法，其特征在于，所述第一材料层为SiN_x，所述第二材料层为Al。

9.根据权利要求6所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器的形成方法，其特征在于，通过双向电泳法制备所述单壁碳纳米管薄膜。

10.根据权利要求6所述的基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成第一材料层和第二材料层之前，在所述基底表面形成钝化层。