[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，包括衬底、缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱和P型层，其特征在于，所述2D填平层包括若干个交替生长的第一子层和第二子层，其中一个所述第一子层与所述3D生长层直接接触，所述第一子层的数量不小于2且与所述第二子层的数量相同，所述第一子层采用无掺杂的Al_xGa_1-xN制成，所述第二子层采用无掺杂的GaN制成，0.5≤x＜1；

每个所述第一子层的Al浓度不同、且每个所述第一子层的Al浓度按生长顺序逐渐减小，所述第一子层的数量为15，每个所述第一子层的Al浓度依次为80％、78％、76％、74％、72％、70％、68％、66％、64％、62％、60％、58％、56％、54％、52％；所述第一子层与所述第二子层的厚度比例不大于1:3。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的厚度范围是10～100nm。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度范围是100～500nm，所述第二子层的厚度范围是500nm～1um。

4.根据权利要求2或3所述的外延片，其特征在于，所述2D填平层的厚度范围是1.2～3.8um。

5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括无掺杂的GaN层，所述无掺杂的GaN层位于所述2D填平层和所述N型层之间，其中一个所述第二子层与所述无掺杂的GaN层直接接触。

6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的生长速度不大于所述无掺杂的GaN层和所述N型层的生长速度。

7.一种发光二极管外延片的制造方法，所述方法包括：提供衬底并在所述衬底上依次生长缓冲层、3D生长层、2D填平层、N型层、多量子阱层和P型层，其特征在于，生长所述2D填平层包括：交替生长若干个第一子层和若干个第二子层，所述第一子层采用无掺杂的Al_xGa_1-xN制成，所述第二子层采用无掺杂的GaN制成，0.5≤x＜1，其中一个所述第一子层与所述3D生长层直接接触，所述第一子层的数量不小于2且与所述第二子层的数量相同；

每个所述第一子层的Al浓度不同、且每个所述第一子层的Al浓度按生长顺序逐渐减小，所述第一子层的数量为15，每个所述第一子层的Al浓度依次为80％、78％、76％、74％、72％、70％、68％、66％、64％、62％、60％、58％、56％、54％、52％；所述第一子层与所述第二子层的厚度比例不大于1:3。