[发明专利]有源区键合兼容高电流的结构

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，该方法包括：

在衬底上形成一个或多个中间金属层；

形成一个或多个绝缘层，所述一个或多个绝缘层中的每一个绝缘层形成在所述一个或多个中间金属层中的一个中间金属层上；

在所述一个或多个绝缘层上形成顶部金属层，其中，所述一个或多个绝缘层将所述一个或多个中间金属层和所述顶部金属层彼此分离；

在所述顶部金属层上形成钝化层；以及

对所述钝化层进行构图以暴露所述顶部金属层的一部分，所述顶部金属层的暴露部分包括键合焊盘；

其中，所述一个或多个绝缘层中邻近所述顶部金属层的绝缘层与其余的绝缘层和所述顶部金属层相比相对较厚。

2.一种形成半导体结构的方法，该方法包括：

在衬底上形成一个或多个中间金属层；

在所述一个或多个中间金属层上形成顶部金属层，其中，所述一个或多个中间金属层和所述顶部金属层通过各部分绝缘材料而被彼此分离；

在所述顶部金属层上形成钝化层；以及

对所述钝化层进行构图以暴露所述顶部金属层的一部分，所述顶部金属层的暴露部分包括键合焊盘；

在所述顶部金属层的暴露部分正下方形成一个或多个导线，所述一个或多个导线中的每个导线从所述一个或多个中间金属层中的相应一个中间金属层的部分形成；

其中，位于所述顶部金属层的暴露部分正下方的所述一个或多个导线通过绝缘材料与键合焊盘电隔离；

其中，在所述键合焊盘和位置最接近顶部金属层的在下面的导线之间的绝缘材料部分与使所述一个或多个导线彼此分离的绝缘材料部分相比相对较厚。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述键合焊盘和所述最接近的、在下面的导线之间的绝缘材料部分的厚度是至少1.5微米。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述键合焊盘和所述最接近的、在下面的导线之间形成子层，与键合焊盘相比，该子层的材料相对较坚硬。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述子层被形成为包含氮化物层。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述子层包含绝缘层。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述键合焊盘之下的所述一个或多个导线中的至少一个导线部分中形成一个或多个间隙。

8.根据权利要求2所述的方法，还包括：形成一个多个间隙，以在电流流动的方向上延伸通过所述键合焊盘之下的至少一个导线部分。

9.一种半导体结构，包括：

衬底；

在所述衬底上的一个或多个中间金属层；

在所述一个或多个中间金属层上的顶部金属层，其中，所述一个或多个中间金属层和所述顶部金属层通过绝缘材料而被彼此分离；

在所述顶部金属层上叠加的钝化层，所述钝化层被构图以暴露所述顶部金属层的表面，所述顶部金属层的暴露表面包括键合焊盘；

在所述顶部金属层之下的一个或多个导线，所述一个或多个导线中的每个导线从所述一个或多个中间金属层中的相应一个中间金属层的部分形成；

其中，在所述键合焊盘和位于所述键合焊盘之下的最接近的导线之间的绝缘材料部分与使所述一个或多个中间金属层彼此分离的绝缘材料部分相比相对较厚。

10.根据权利要求9的半导体结构，其中，在所述键合焊盘和所述最接近的、在下面的导线之间的绝缘材料部分的厚度是至少1.5微米。

11.根据权利要求9的半导体结构，还包括：在所述键合焊盘和所述最接近的、在下面的导线之间形成的子层，与键合焊盘相比，该子层的材料相对较坚硬。

12.根据权利要求11的半导体结构，其中，所述子层被形成为包含氮化物层。

13.根据权利要求11的半导体结构，其中，所述子层包含绝缘层。

14.根据权利要求9的半导体结构，还包括：位置在所述键合焊盘之下的所述一个或多个导线中的至少一个导线部分中的一个或多个间隙。

15.根据权利要求14的半导体结构，其中，所述一个多个间隙在电流流动的方向上延伸通过所述键合焊盘之下的至少一个导线部分。