[发明专利]MRAM器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410260635.5 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336848B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 曾贤成;湛兴龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mram 器件 形成 方法 | ||
1.一种MRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一介质层；
对所述第一介质层进行刻蚀，在其中形成通孔；
在所述通孔中填充导电材料，该导电材料还一并覆盖所述第一介质层，所述导电材料为铝铜合金；
采用平坦化工艺去除覆盖在所述第一介质层上的导电材料，使得所述通孔中的导电材料与所述第一介质层具有齐平的表面；
在所述通孔中的导电材料上形成磁隧道结，该磁隧道结与所述通孔中的导电材料电连接；
其中，所述平坦化工艺对所述导电材料和第一介质层的选择比为0.8至1.2。
2.根据权利要求1所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料选自氧化硅、氮化硅、黑钻石或其任意组合。
3.根据权利要求1所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，所述铝铜合金中铜占0.4～0.6wt％，其余为铝。
4.根据权利要求1所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，所述铝铜合金中铜占0.5wt％，其余为铝。
5.根据权利要求2所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，所述通孔的形貌为倒梯形。
6.根据权利要求1所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械抛光。
7.根据权利要求1所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，在所述通孔中的导电材料上形成磁隧道结包括：
形成磁隧道结层，该磁隧道结层覆盖所述第一介质层以及所述通孔中的导电材料；
对所述磁隧道结层进行刻蚀，以形成多个磁隧道结，每一磁隧道结分别与其下方的通孔中的导电材料电连接。
8.根据权利要求1所述的MRAM器件的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：形成第二介质层，该第二介质层覆盖所述磁隧道结以及所述第一介质层的表面。
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