[发明专利]一种触控显示模组

说明书

本发明提供一种触控显示模组，其包括一盖板，一上偏光片，一下偏光片，一上基板以及一下基板，上基板与下基板位于上偏光片与下偏光片之间，上基板与下基板之间夹持有液晶层，该触控显示模组进一步包括一第一电极层和一第二电极层，位于第一电极串上的第一导电单元与位于第二电极串上的第二导电单元互补设置。该触控显示模组可有效降低纳米银线所带来的雾度问题。本发明触控显示模组具有工艺简单，显示效果好等优点。

【技术领域】

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种触控显示模组。

【背景技术】

在传统智能手机，如iphone等的电容式触控显示模组中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控显示模组尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的显示模组时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控显示模组良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电材料已无法不能应付市场的需求而逐渐被淘汰。

鉴于ITO存在的价格昂贵，电阻高，工艺复杂，抗损性能差，光学表现欠佳等缺点，要使触控产业更加快速的发展，那么，我们确实急切需要寻找一种新的材料来替代ITO，这时，业界不得不把目光投向另一种替代ITO的材料—纳米银线(silver nano wires，简称SNW)。SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。

然而，由于纳米银线的反光率较高，采用纳米银线导电膜作为触控电极时，触控显示模组在视觉上会出现白雾现象，SNW离人眼越近，反光越明显，雾度问题也就越突出。特别是在双层电极结构中，当两层电极材料均为SNW时，这种雾度问题会更为严重。

总地来说，纳米银线导电材料的出现给触控产业带来了曙光，但如何去克服纳米银线存在的雾度问题，则还值得业界进一步研究。

【发明内容】

为克服现有纳米银线替代ITO作为新的导电材料存在雾度严重等问题，本发明提供了一种新式触控显示模组。

本发明提供一种触控显示模组，该触控显示模组包括盖板，上偏光片，下偏光片，上基板以及下基板，上基板与下基板位于上偏光片与下偏光片之间，上基板与下基板之间夹持有液晶层，触控显示模组进一步包括第一电极层和第二电极层，第一电极层与第二电极层包括多个在第一方向上平行排列的第一电极串与多个在第二方向上平行排列的第二电极串，各第一电极串包括多个第一导电单元与多个第一导接线，各第一电极串上的第一导电单元之间通过多个第一导接线在第一方向上串联，两两相邻的第一导电单元界定一第一镂空区，各第二电极串包括多个第二导电单元与多个第二导接线，各第二电极串上的第二导电单元之间通过多个第二导接线在第二方向上串联，第一电极层与第二电极层材料为纳米银线导电层，第二导电单元位于第一镂空区在第二电极层上的垂直投影区，纳米银线导电层包括基质及分布于基质中的多条纳米银线，多条纳米银线相互搭接形成导电网络，第一镂空区及第一导电单元一体成型而成，两者的邻接处藉由基质隔离，第一镂空区与第一导电单元邻接处的基质中包括复数条纳米级通道，纳米级通道为基质内的纳米银线被激光气化移除后所形成，纳米银线的线径小于500nm，且纳米银线的线长与线径之比大于10，第一电极串与第二电极串由基质与纳米银线填满。

优选地，第二导电单元与第一导电单元形状互补。

优选地，盖板包括一触控操作面与元件安装面，第一电极层设置在元件安装面与第二电极层之间，第二导电单元的面积大于第一导电单元的面积。