[发明专利]一种二氧化钒薄膜制备方法无效
申请号: | 201410258898.2 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN104032278A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 王少伟;刘星星;陆卫;俞立明;陈飞良;陈效双 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;C23C16/56;C23C14/08;C23C16/40 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于:步骤如下:
1)在玻璃、石英、宝石或硅片衬底上通过磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、真空热蒸发、电子束蒸发、激光脉冲沉积或溶胶凝胶的方法将金属钒或低价钒薄膜制备在衬底上;
2)对制备好的金属钒薄膜或者低价钒薄膜在真空条件下通氧退火得到有相变的二氧化钒薄膜;具体通氧退火参数为:氧气是氧分压在5~11000Pa,退火温度是350~650℃,时间为5~400min。
2.根据权利要求1所述的一种二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于:所述的低价钒为一氧化钒、三氧化二钒、低于和等于四价的钒氧化物相的混合物,或上述的掺杂有4%以下W、Mo、AI、Ti、Nb、Ta或F元素的混合物。
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