[发明专利]用于制备具有高转变温度的超导层的技术基材的涂布

权利要求书

1.一种用于在随后用于制造高温超导体带的带基材上涂覆平滑化层的方法，所述方法包括下列步骤：

a.将含聚硅氮烷的液体涂覆在带基材的至少一侧，其中所述带基材包含以金属带形式的技术基材；并且

b.将所述含聚硅氮烷的液体加热到≥450℃的温度，用于在带基材上沉积含有氮氧化硅(SiN_xO_y，其中0≤x<0.6且1.0<y≤2.0)和/或硅-碳-氮氧化物(SiC_xN_yO_z，其中2·y<x≤1.0,0<y<0.2且1.0<z≤2.0)的层，其中所述基材上的沉积层的粘合强度>10N·mm^-2；并且

c.在步骤b中所沉积的层上沉积双轴织构的外延支撑物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积层的表面粗糙度<10nm，优选<5nm，更优选<2nm，和最优选<1nm。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述沉积层的厚度为0.01μm-10.0μm，优选0.1μm-5.0μm，更优选0.2μm-3.0μm，最优选0.3μm-1.0μm。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述沉积层的组成随层的深度而变化。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述带基材包括表面粗糙度>20nm的金属条带。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤b.在周围空气的气氛下进行。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤b.在纯氧气气氛或保护气体气氛下进行。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a.和步骤b.连续地进行多次。

9.如权利要求1或2所述的方法，其进一步包括下列步骤：通过选择聚硅氮烷溶液的粘度和/或通过选择聚硅氮烷溶液的浓度来调节所述沉积层的厚度。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述聚硅氮烷包括全氢聚硅氮烷PHPS，并且所述液体包括PHPS在二丁基醚中的溶液。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述PHPS溶液包含10重量％到20重量％的PHPS。

12.如权利要求10所述的方法，其中，用于加热所述聚硅氮烷溶液的温度在600℃-700℃的范围内，和/或温度升高以5℃/min的速度进行，和/或最高温度保持≤60分钟，和/或温度降低以5℃/min的速度进行。

13.如权利要求10所述的方法，其中，含有氮氧化硅的淀积层的平均氮含量小于30原子％，优选小于25原子％，并且最优选在15原子％到20原子％的范围内。

14.如权利要求10所述的方法，其中，从含有氮氧化硅的沉积层的表面到含有氮氧化硅的沉积层的深度，氧份额减少，而硅份额和氮份额增加。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述聚硅氮烷包括聚碳硅氮烷(PCS)，并且所述液体包括PCS在甲苯和/或在乙醚中的溶液。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述PCS溶液包含10重量％至20重量％的PCS，和/或其中所述沉积层包含硅-碳-氮氧化物。

17.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a.包括将含有聚硅氮烷的液体涂覆在正面和背面，并在所述方法进一步包括下列步骤：

c.在所述带基材的正面上沉积至少一个高温超导体层；

d.从所述带基材的背面去除含有氮氧化硅和/或硅-碳-氮氧化物的层；并且

e.将金属和/或金属合金施加到带基材的至少背面。

18.如权利要求17所述的方法，其中，步骤e.包括：将所述金属和/或金属合金施加到所述高温超导体层上和所述带基材的背面上。

19.如权利要求17所述的方法，其中，所述金属包括银。

20.一种用于高温超导体带的背面接触层，其根据权利要求17-19中任意一项所述的方法而制造。