[发明专利]一种低相位噪声电感电容压控振荡器

权利要求书

1.一种低相位噪声电感电容压控振荡器，包括基本振荡模块，所述基本振荡模块包括：电源电压Vdd、可变电容Cvar1、可变电容Cvar2、可变电容调节电压Vtune、两端电感ind、固定电容C1、固定电容C2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1和PMOS管Mp2，所述固定电容C1和C2的电容值大小相等，其特征在于，所述低相位噪声电感电容压控振荡器还包括：NMOS管Mn4、固定电容Cc1、固定电容Cc2、尾电流源偏置电压Vbias、电阻R1和电阻R2；所述低相位噪声电感电容压控振荡器在输入差分电压输出节点VCOP处接固定电容Cc1；所述固定电容Cc1的另一端与NMOS管Mn3的栅极相连，取代控制电压Vc；所述NMOS管Mn4的漏极与NMOS管Mn3的漏极相连，所述NMOS管Mn4的衬底和源极短接后接地Gnd；在输入差分电压输出节点VCON处接固定电容Cc2；固定电容Cc2另一端与NMOS管Mn4栅极相连；电阻R1连接在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn3的栅极之间；电阻R2连接在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn4的栅极之间。

2.根据权利要求1所述的一种低相位噪声电感电容压控振荡器，其特征在于，所述NMOS管Mn1的衬底与源极断开，所述NMOS管Mn1的衬底与电源电压Vdd相连；所述NMOS管Mn2的衬底与源极断开，所述NMOS管Mn2的衬底与电源电压Vdd相连。

3.根据权利要求2所述的一种低相位噪声电感电容压控振荡器，其特征在于，所述NMOS管Mn1和Mn2的衬底与电源电压Vdd相连的负阻衬底偏压大于所述NMOS管Mn1和Mn2的源极电压。

4.根据权利要求1～3项任一项所述的一种低相位噪声电感电容压控振荡器，其特征在于，所述可变电容Cvar1和Cvar2的尺寸相同。

5.一种制作权利要求1所述低相位噪声电感电容压控振荡器的方法，所述方法分为如下步骤：

在所述低相位噪声电感电容压控振荡器在输入差分电压输出节点VCOP处接固定电容Cc1；

将所述固定电容Cc1的另一端与NMOS管Mn3的栅极相连，取代控制电压Vc；

将所述NMOS管Mn4的漏极与NMOS管Mn3的漏极相连；

将所述NMOS管Mn4的衬底和源极短接后接地Gnd；

在输入差分电压输出节点VCON处接固定电容Cc2；

将固定电容Cc2另一端与NMOS管Mn4栅极相连；

在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn3的栅极之间连接电阻R1；

在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn4的栅极之间连接电阻R2。

6.一种制作权利要求4所述低相位噪声电感电容压控振荡器的方法，所述方法分为如下步骤：

将所述NMOS管Mn1的衬底与源极断开；

将所述NMOS管Mn1的衬底与电源电压Vdd相连；

将所述NMOS管Mn2的衬底与源极断开；

将所述NMOS管Mn2的衬底与电源电压Vdd相连；

在所述低相位噪声电感电容压控振荡器在输入差分电压输出节点VCOP处接固定电容Cc1；

将所述固定电容Cc1的另一端与NMOS管Mn3的栅极相连，取代控制电压Vc；

将所述NMOS管Mn4的漏极与NMOS管Mn3的漏极相连；

将所述NMOS管Mn4的衬底和源极短接后接地Gnd；

在输入差分电压输出节点VCON处接固定电容Cc2；

将固定电容Cc2另一端与NMOS管Mn4栅极相连；

在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn3的栅极之间连接电阻R1；

在尾电流源偏置电压Vbias和NMOS管Mn4的栅极之间连接电阻R2。