[发明专利]一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)在单晶硅衬底上采用热丝化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜；(2)将步骤(1)得到的纳米金刚石薄膜在500-700℃温度下的空气中保温5～150分钟，即制得所述具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)的方法如下：对单晶硅衬底采用金刚石研磨膏打磨半小时，打磨后的金刚硅衬底放入化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，反应温度600～700℃、反应时间5～6小时，在单晶硅衬底上制备得到厚度为1～10μm的纳米金刚石薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中，在空气中保温的温度为600～700℃。

4.如权利要求1～3之一所述的方法制得的纳米金刚石薄膜，在光致发光谱的738nm处具有明显的发光峰，具有Si-V发光性能。