[发明专利]结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统及方法

权利要求书

1.一种结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统，其特征在于包括上位计算机(1)、测试板(2)、示波器(3)、稳压电源(4)、辐照板(5)；上位计算机(1)通过USB连接线连接测试板(2)，测试板通过长屏蔽排线(2)连接辐照板(5)；辐照板(5)的输出通过长同轴屏蔽电缆连接示波器(3)，稳压电源(4)通过长同轴屏蔽电缆连接辐照板(5)；所述上位计算机、测试板和示波器置于屏蔽测试间内；所述辐照板(5)置于辐照间。

2.根据权利要求1所述结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统，其特征在于：所述测试板包括微控制器芯片和FPGA；与FPGA通过Slave FIFO接口连接；FPGA从微控制器接收上位计算机发送的数据或指令，根据指令对辐照板上的被测SRAM进行相应的读写操作和状态控制，并通过FPGA对微控制器的操作向上位计算机返回测试数据。

3.根据权利要求1所述结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统，其特征在于：所述同轴屏蔽电缆为50米长同轴屏蔽电缆。

4.根据权利要求1所述结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统，其特征在于：所述长屏蔽排线为50米长屏蔽排线。

5.一种采用权利要求1～4所述任一项系统进行测量的方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：对辐照板上的被测SRAM加电，测量电源电流；

步骤2：用全地址测量单元在SRAM每个存储单元中写入55H，再把所有存储单元的内容读出来，确保SRAM的读写功能正常，之后把地址线固定于10101010101，SRAM的状态设置为“读状态”；

步骤3：利用示波器对地址10101010101内的数据进行测量，记录并保存测量值，此为存储单元辐照前存储内容；

步骤4：进行辐照，记录并保存辐照时10101010101单元内的存储内容的变化，此为该单元存储内容的辐照瞬间效应信号；

步骤5：测量SRAM的电源电流，如电源电流没有变化，重新触发示波器，测量并保存10101010101单元内的存储内容，此为该单元辐照后的存储内容；利用全地址测量单元对SRAM进行全地址扫描，测量所有地址内的存储内容；再测量SRAM的读写功能；SRAM重新加电，测量读写功能；

如果辐照后SRAM的电源电流增加，并且在规定的时间内没有恢复，则SRAM重新加电，测量电源电流及读写功能。