[发明专利]电路后仿真方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设计领域，具体涉及集成电路设计技术中后仿真技术；更具体地说，本发明涉及一种寄生参数提取与相关的电路后仿真方法和RC反标方法。

背景技术

传统的电路后仿真方法，如图1所示，是在版图设计和验证完成后以及流片之前，通过寄生参数提取程序来提取出电路的寄生参数，电路仿真程序可以调用这个数据来进行后仿真，一般常用Hspice程序和Spectre程序来运行网表，进行后仿真，但是这种方法不能够很准确的提取关键的参数，会影响后仿的准确性，还具有一定的复杂性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于后仿的RC反标的方法。传统的后仿方法，抽取的参数更加复杂，不能很准确的提取重要的参数，另外在使用Hspice等EDA工具来运行网表时，网表参数修改起来会比较繁琐。本发明首先提供了一个详细稳定的后仿流程，首先通过仅选取对结果影响关键的寄生参数，减小了复杂度，再将其反标回电路进行仿真，使仿真结果能更加接近实际的流片环境和效果。本发明的方法包含三方面的关键步骤，其一是网表的抽取方式，其二是寄生参数的选取方法，其三是反标的方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种电路后仿真方法，其包括：

第一步骤，用于从版图提取RC网表，并且从RC网表中抽取只包含电容元素而不包含电阻元素的电容网表；

第二步骤，用于从电容网表中选取电容值；

第三步骤，用于将选取的电容反标；

第四步骤，用于利用反标的电容值使用与前仿相同的环境对电路进行仿真。

优选地，在第四步骤的仿真结果正确的情况下，进行电路的流片；在第四步骤的仿真结果不正确的情况下，重新进行电路原理图的设计。

优选地，第二步骤包括：去掉VDD与0电压节点之间的电容、GND与0电压节点之间的电容、PWL与0电压节点之间的电容、NWL与0电压节点之间的电容；去掉GND/VDD/PWL/NWL两两之间的电容；将电容网表中的电容的值精确到0.001fF；去掉电容值小于0.01fF的电容。

优选地，将选取的电容反标包括：将GND/VDD/PWL/NWL之外的非0电压节点与0电压节点之间的电容修改为该非0电压节点与GND/VDD/PWL/NWL之一之间的电容。

本发明完善了后仿真的流程，提供了一个更加准确、简单的后仿真方法，使后仿真的环境更加接近实际的流片的效果，能够得到更准确的仿真数据。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的包含后仿真流程的电路仿真流程。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的电路后仿真方法的流程图。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的RC反标方法的流程图。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的具体反标电容实例。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的电路后仿真方法的流程图。

具体地说，如图2所示，根据本发明优选实施例的电路后仿真方法包括在电路的版图设计及版图验证完成后依次执行下述步骤：

第一步骤S1，用于从版图提取RC网表，并且从RC网表中抽取只包含电容元素而不包含电阻元素的电容网表；

第二步骤S2，用于从电容网表中选取电容值；

第三步骤S3，用于将选取的电容反标；

第四步骤S4，用于利用反标的电容值使用与前仿相同的环境对电路进行仿真；

在第四步骤的仿真结果正确的情况下，进行电路的流片；在第四步骤的仿真结果不正确的情况下，重新进行电路原理图的设计。

从版图中抽取RC网表；具体地说，传统上会将电阻和电容一并抽取，这种方法使寄生参数的的抽取和反标具有了很大的复杂性，而本方法只要求抽取电容，因为电阻的影响相对来说非常小，而电容的对电路的速度和驱动能力具有很大的影响。通过分析，只选择关键参数的抽取，更有利于设置和仿真的运行速度。

而在参数遴选和反标的过程，例如针对电容网表，具体的方法可以如下执行：