[发明专利]多腔设备的工艺管理方法在审
| 申请号: | 201410253548.7 | 申请日: | 2014-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN103996644A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
| 发明(设计)人: | 杨习刚;陈智文;周杰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 设备 工艺 管理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体涉及半导体制造执行系统(MES)领域,更具体地说,本发明涉及一种多腔设备的工艺管理方法。
背景技术
半导体芯片生产工艺流程中有很多的工艺加工设备是多腔体设备,例如刻蚀设备、物理气相沉积设备、化学气相沉积设备等工艺设备,当产品到达该设备作业时有些腔是必须进入的,有些腔是任选其一进入的。
图1为多腔体设备的俯视示意图,该设备包含A、B、C、D四个加工工艺腔。如果A和B是一组加工工艺能力相同的腔体,C和D一组加工工艺能力相同的腔体,当产品到达该设备进行作业时,A和B腔只要任选其一,C和D腔只要任选其一,那么针对整台设备,其某一工艺腔选择方案Recipe(即,选择进行处理的两个加工工艺腔),其存在四种不同腔体的组合:Recipe_AC,Recipe_AD,Recipe_BC,Recipe_BD,在MES系统就需要维护这四条recipe的信息。如果以后某一腔体出现故障或者新增腔体,这些recipe的名称都要做相应的调整。如果多腔体设备包含腔体数量较多,例如其包含A,B,C,D,E,F,G,H以及1,2,3,4,5,6,7,8共计16个腔体,其中A,B,C,D,E,F,G,H是工艺加工能力相同的腔体,1,2,3,4,5,6,7,8是工艺加工能力相同的腔体,那么对于某一recipe:R存在64种不同腔体组合的方案名称,对于该设备的recipe的管理的工作量是非常繁琐的。
另外如果当一个批次lot1到达设备作业,其选择了Recipe_AC进行作业,当后续的批次lot2到达时,如果选择Recipe_AC,Recipe_AD,Recipe_BC,都需要等待lot1作业完成后才能开始作业,这样就降低了设备的产能利用率。所以实际上存在的最优的方案是选择Recipe_BD,但是现有技术中往往无法找到最佳方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种多腔设备的工艺管理方法,其能够通过引入与或逻辑计算方法和判断腔体状态来确定最优加工工艺腔选择方案(recipe)从而实现设备运行效率最大化,以及多腔体设备的工艺腔选择方案动态管理的简洁化。
为了实现上述技术目的,根据本发明,提供了一种多腔设备的工艺管理方法,其特征在于包括:
第一步骤,用于将待处理批次的晶圆传递至多腔体设备的载入缓冲室内;
第二步骤,用于根据所述多腔体设备在半导体制造执行系统中定义的所述多腔体设备中的各腔体的与或关系表达式确定可用的工艺腔选择方案列表;
第三步骤,用于将工艺腔选择方案列表中的各个工艺腔选择方案按照各自的空闲腔体数量从多到少对工艺腔选择方案列表进行排序;
第四步骤,用于选择工艺腔选择方案列表中空闲腔体数量最多的工艺腔选择方案作为将所述待处理批次的晶圆的最终工艺腔选择方案,从而将缓冲室中的所述待处理批次的晶圆载入最终工艺腔选择方案中的工艺腔中。
优选地,所述的多腔设备的工艺管理方法还包括第五步骤,用于将选中的工艺腔选择方案中所包含的腔体的工作状态标记为非空闲。
优选地,所述的多腔设备的工艺管理方法还包括第六步骤,用于在处理完所述待处理批次的晶圆之后,检查选中的工艺腔选择方案中所包含的各个腔体中是否有其它的批次的晶圆正在作业,若没有任何其它的批次的晶圆正在作业,将腔体的工作状态改为空闲。
本发明通过引入与或逻辑计算方法,对于多腔体设备的工艺腔选择方案的动态管理非常灵活快捷高效。而且,本发明通过判断当前各腔体的运行状态来选择空闲腔体数最多的工艺腔选择方案,实现设备生产效率的最大化。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1是多腔体设备的俯视示意图。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的多腔设备的工艺管理方法的流程图。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的多腔设备的工艺管理方法的流程图。
具体地,如图2所示,根据本发明优选实施例的多腔设备的工艺管理方法包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





