[发明专利]多芯片层叠封装方法

权利要求书

1.一种多芯片层叠封装方法，应用于三维封装体，将位于最上面的芯片记为表层芯片，其余为中间芯片，其特征在于，中间芯片的制作方法包括以下步骤：

1）于晶圆的下表面布线，形成下表面布线层；

2）于下表面布线层上覆盖下表面钝化层；

3）在预定的焊盘位置蚀刻下表面钝化层直至下表面布线层，形成焊盘点位；

4）在步骤3）形成的焊盘点位制作焊盘，用以接出下表面布线层；

5）于晶圆的上表面需要减薄的厚度处制作上表面布线层；

6）于上表面布线层上覆盖上表面钝化层；

7）在预定的焊盘位置蚀刻上表面钝化层直至上表面布线层，形成焊盘点位；

8）在步骤7）形成的焊盘点位制作焊盘，用以接出上表面布线层；

9）在给定的区域从下表面制作盲孔直至上表面布线层；

10）在盲孔内制作电连接结构，以连接上表面布线层与下表面布线层；

11）在上表面钝化层上生长硅；

12）对生长硅后的晶圆进行切割，研磨，分离生成单颗晶片；

13）在单颗晶片上匹配焊盘制作凸点，形成中间芯片。

2.将表层芯片、中间芯片和基板通过凸点连接后进行封装。

3.根据权利要求1所述的多芯片层叠封装方法，其特征在于，在盲孔内制作电连接结构的方法是使用表面溅射工艺在盲孔的表面溅镀导电层，生成导电层。

4.根据权利要求2所述的多芯片层叠封装方法，其特征在于，生成导电层后余下的内孔内进行封装料的填充。

5.根据权利要求1至3任一所述的多芯片层叠封装方法，其特征在于，当芯片间或者芯片与基板间的焊盘分布无法匹配时，按照相对位于下面的芯片的焊盘分布对上面的芯片利用重新布线技术进行重新布线。

6.根据权利要求1至3任一所述的多芯片层叠封装方法，其特征在于，凸点连接采用回流焊进行焊接。

7.根据权利要求5所述的多芯片层叠封装方法，其特征在于，焊盘匹配凸点采用回流焊焊接在焊盘上形成凸点。

8.根据权利要求1至3任一所述的多芯片层叠封装方法，其特征在于，对生长硅后的晶圆进行切割时，从硅所在的面切割，并割穿硅所在侧钝化层，然后进行研磨。