[发明专利]一种用于降低光漏电流的薄膜晶体管液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种用于降低光漏电流的薄膜晶体管液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为一种驱动元件，广泛应用于有源液晶显示器，目前TFT技术主要采用非晶硅(a-Si)和多晶硅(poly-Si)。多晶硅TFT主要特点是电子迁移率高，器件尺寸较小，开口率大，图像分辨率可得到大大改善，然而低温多晶硅制程复杂，制造成本高，成品率低，均匀性差。相比于多晶硅TFT，非晶硅TFT的电子迁移率低，TFT器件尺寸较大，像素开口率较小，但非晶硅生产技术取得了很大的进步，非晶硅在制作成本、大面积沉积均匀性方面明显优于多晶硅。

在现有技术中，非晶硅薄膜晶体管液晶显示器面临的竞争者很多，各面板制造商莫不致力于改善非晶硅光漏电流，以便改善高分辨率产品所面临储存电容变小而产生较差的画面闪烁等质量问题。一般来说，薄膜晶体管液晶显示器在制作时，大多采用五道光罩制程，其中非晶硅层是一种光敏感物质，在照光后容易产生光电流，而出现光漏电情形。虽然当前的解决方案已经考虑到非晶硅的光敏感特性，使非晶硅层的图案内缩在栅极的范围内(亦即，栅极非晶硅层可完全被栅极挡住)以减小光漏电流，然而部分光线仍会经由漏极区的金属表面反射从而照射到栅极非晶硅层，导致光漏电流的产生。

有鉴于此，如何设计一种新的薄膜晶体管液晶显示器结构或对现有的薄膜晶体管液晶显示器进行结构改进，以避免漏极区的金属表面形成的反射光进入非晶硅层，进而降低光漏电流，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的薄膜晶体管液晶显示器所存在的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的、可降低光漏电流的薄膜晶体管液晶显示器。

依据本发明的一个方面，提供了一种用于降低光漏电流的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)，包括：

一第一金属层，形成于一基板上，并经蚀刻定义该薄膜晶体管的栅极；

一绝缘层，用以覆盖所述第一金属层；

一非晶硅层，形成于该绝缘层上且对应地位于该栅极的上方；

一第二金属层，形成于所述非晶硅层的上方，并经蚀刻定义该薄膜晶体管的源极区和漏极区；

一第一保护层，形成于该非晶硅上并覆盖所述源极区以及所述漏极区；

一有机层，形成于所述第一保护层的上方；

一第一导电层，形成于所述有机层的上方；以及

一第二保护层，形成于所述第一导电层的上方，

其中，所述第一金属层的面积大于所述漏极区的面积从而完全遮蔽所述漏极区，并且所述漏极区与所述绝缘层的接触面为一平坦表面，以避免所述漏极区的金属表面形成的反射光进入所述非晶硅层。

在其中的一实施例，于所述漏极区一侧，所述第一保护层和所述第二保护层的对应位置开设一通孔以暴露该薄膜晶体管的漏极，所述通孔内填充有一第二导电层用作为像素电极。

在其中的一实施例，所述第一导电层和所述第二导电层均由氧化铟锡材料制成。

在其中的一实施例，所述薄膜晶体管液晶显示器还包括一N+非晶硅层，设置于所述非晶硅层与所述第二金属层之间。

依据本发明的另一个方面，提供了一种用于降低光漏电流的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)，包括：

一第一金属层，形成于一基板上，并经蚀刻定义该薄膜晶体管的栅极；

一绝缘层，用以覆盖所述第一金属层；

一非晶硅层，形成于该绝缘层上且对应地位于该栅极的上方；

一第二金属层，形成于所述非晶硅层的上方，并经蚀刻定义该薄膜晶体管的源极区和漏极区；

一第一保护层，形成于该非晶硅上并覆盖所述源极区以及所述漏极区；

一有机层，形成于所述第一保护层的上方；

一第一导电层，形成于所述有机层的上方；以及

一第二保护层，形成于所述第一导电层的上方，

其中，在所述绝缘层和所述第一金属层之间还包括一黑色的第三保护层，其对应地位于该漏极区的下方，以降低所述薄膜晶体管的栅极与漏极之间的寄生电容；

其中，所述第一金属层的面积大于所述漏极区的面积，以完全遮蔽所述漏极区。

在其中的一实施例，所述漏极区与所述绝缘层的接触面为一平坦表面。