[发明专利]用于晶圆级封装件的模塑结构

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年12月18日提交的标题为“用于晶圆级封装件的模塑结构(Molding Structure for Wafer Level Package)”的美国临时专利申请第61/917,837号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及用于晶圆级封装件的模塑结构。

背景技术

在半导体制造中，叠层封装(PoP)堆叠和重分布层(RDL)工艺利用模塑料的形成以及随后的化学机械平坦化(CMP)、研磨、抛光和其他机械材料去除工艺以暴露集成电路器件的管芯。然而，对于器件功能而言，机械材料去除工艺可能存在问题，并且机械材料去除工艺可能抬高与封装件组装相关的成本。例如，机械材料去除工艺可能引起划痕，从而损坏器件的输入/输出(I/O)表面，并且其可能进一步产生微粒，从而引起PoP 接合处和连接件的失效，或者引起重分布层的裂开(opening)。因此，在实施模塑和机械材料去除工艺之后，仅约80％的管芯区域可能充分地暴露。此外，在组装过程中，现有的模塑方法太频繁地失效而不能充分地防止在组装过程中管芯的移位。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：将多个微电子器件附接至衬底表面，其中，间隔介于所述多个微电子器件的邻近的两个之间，其中，所述多个微电子器件中的每个均具有与所述衬底表面基本上平行的最外表面；将所述衬底封闭在传递模塑装置的传递模塑腔中，从而使得所述传递模塑腔的内表面与所述多个微电子器件的每个所述最外表面的大部分接触；以及将模塑料注入至所述传递模塑腔内，包括将所述模塑料注入至所述多个微电子器件之间的所述间隔内。

在上述方法中，其中，将所述衬底封闭在所述传递模塑腔中包括：使所述多个微电子器件的每个所述最外表面紧靠脱模层，所述脱模层基本上覆盖所述传递模塑腔的内表面。

在上述方法中，其中：所述间隔是第一间隔；将所述多个微电子器件附接至所述衬底表面建立了位于所述衬底表面和所述多个微电子器件中的至少一个之间的第二间隔；以及注入的所述模塑料基本上填充了所述第一间隔和所述第二间隔。

在上述方法中，进一步包括以下至少一项：在将所述模塑料注入至所述传递模塑腔内之前，加热所述模塑料；以及加热所述传递模塑腔内的注入的所述模塑料。

在上述方法中，其中：利用第一压力注入所述模塑料；所述方法进一步包括在所述传递模塑腔内建立第二压力；以及所述第二压力基本上小于所述第一压力。

在上述方法中，其中：利用第一压力注入所述模塑料；所述方法进一步包括在所述传递模塑腔内建立第二压力；以及所述第二压力基本上小于所述第一压力，其中，建立所述第二压力包括建立基本上的真空。

在上述方法中，进一步包括：从所述传递模塑装置中取出所述衬底；以及在所述多个微电子器件的一部分上方形成至少一个重分布层，其中，所述至少一个重分布层与所述多个微电子器件中的至少两个电互连。

在上述方法中，进一步包括：从所述传递模塑装置中取出所述衬底；以及在所述多个微电子器件的一部分上方形成至少一个重分布层，其中，所述至少一个重分布层与所述多个微电子器件中的至少两个电互连，其中，在以下步骤之间不实施机械材料去除工艺：注入所述模塑料；以及形成所述至少一个重分布层。

在上述方法中，进一步包括：从所述传递模塑装置中取出所述衬底；以及在所述多个微电子器件的一部分上方形成至少一个重分布层，其中，所述至少一个重分布层与所述多个微电子器件中的至少两个电互连，其中：所述模塑料是第一模塑料；所述至少一个重分布层包括多个重分布层；以及所述方法进一步包括：在所述多个重分布层的最顶层上沉积球栅阵列，其中，所述球栅阵列包括多个离散的导电元件；以及形成第二模塑料，所述第二模塑料围绕所述球栅阵列的所述多个离散的导电元件之间的间隔。

在上述方法中，其中，所述衬底表面是形成在所述衬底上的涂层的表面。

在上述方法中，其中，利用形成在所述多个微电子器件的每个上的粘合剂层将所述多个微电子器件附接至所述衬底表面。

根据本发明的另一方面，还提供了一种装置，包括：衬底；多个微电子器件，连接至所述衬底；以及模塑料，设置在所述多个微电子器件的每对之间，其中：所述模塑料包括多个微填充元件；和任何所述微填充元件的边界均基本上与所述模塑料的基本上平坦的表面或所述多个微电子器件中的任一个的基本上平坦的表面不平行。