[发明专利]MDVR存储介质保护方法及电路、MDVR及汽车

权利要求书

1.一种MDVR存储介质保护方法，其特征在于，包括：

电压检测模块检测汽车的电源电压，处理模块将所述电源电压与所述处理模块预设的第一电压阈值比较，当该电源电压低于所述第一电压阈值时，则控制视音频编码芯片停止编码并将缓存数据写入存储介质；

储能模块提供MDVR的系统电压，电压检测模块检测MDVR的系统电压，处理模块将所述系统电压与所述处理模块预设的第二电压阈值比较，当该系统电压低于所述第二电压阈值时，则控制视音频编码芯片舍弃缓存数据、结束文件并停止访问并卸载存储介质。

2.根据权利要求1所述的MDVR存储介质保护方法，其特征在于，还包括：

检测存储介质的供电电压，当该供电电压低于第三电压阈值时，则关断所述供电电压，并使该存储介质的芯片始终复位。

3.根据权利要求2所述的MDVR存储介质保护方法，其特征在于，还包括：在卸载完所述存储介质后，则视音频编码芯片发出指令，以关断所述供电电压，并使该存储介质的芯片始终复位。

4.根据权利要求2所述的DVR存储介质保护方法，其特征在于，所述第一电压阈值的取值范围为：7.7V～8.3V；所述第二电压阈值的取值范围为：4.1V～4.5V；所述第三电压阈值的取值范围为：2.8V～3.3V。

5.一种MDVR存储介质保护电路，与视音频编码芯片连接，包括用于为MDVR续航的储能模块，其特征在于，还包括：

电压检测模块，用于检测汽车的电源电压和给MDVR供电的系统电压；

处理模块，预设第一电压阈值和第二电压阈值并将检测到的所述电源电压和系统电压与相应的电压阈值比较，其中：

当该电源电压低于所述第一电压阈值时，则控制所述视音频编码芯片停止编码并将缓存数据写入存储介质；

当该系统电压低于所述第二电压阈值时，则控制所述视音频编码芯片舍弃缓存数据、结束文件并停止访问并卸载存储介质。

6.根据权利要求5所述的DVR存储介质保护电路，其特征在于，还包括：

开关模块，用于存储介质的电源通断；

电压监测模块，用于监测存储介质的供电电压，当该供电电压低于第三电压阈值时，则输出关断信号至所述开关模块，关断所述供电电压且使该存储介质的芯片始终复位。

7.根据权利要求6所述的DVR存储介质保护电路，其特征在于，在卸载完所述存储介质后，所述视音频编码芯片发送指令至所述处理模块，所述处理模块接收该指令后控制所述电压监测模块输出所述关断信号。

8.根据权利要求6或7所述的DVR存储介质保护电路，其特征在于，所述处理模块为STM8S103系列芯片，所述电压监测模块包括电压监测芯片、第一下拉电阻、第二下拉电阻以及第一电容，其中，

所述电压监测芯片为SGM811/2系列芯片，包括：

电压输入引脚，接所述供电电压，并通过所述第一电容接地；

复位输出脚，通过所述第一下拉电阻接地，输出所述关断信号；

手动复位引脚，与所述处理模块连接，并通过所述第二下拉电阻接地，在卸载完所述存储介质后，所述视音频编码芯片发送指令至所述处理模块，在处理模块接收该指令后，可使所述复位输出脚输出所述关断信号。

9.根据权利要求8所述的DVR存储介质保护电路，其特征在于，所述开关模块包括第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、PMOS管及NPN型三极管，其中：

所述第二电容、第三电容并联后一端接地，另一端接所述供电电压，所述第二电阻的一端接所述PMOS管的源极后还接所述供电电压，另一端接所述PMOS管的栅极和三极管的集电极，所述第四电容、第五电容及第三电阻并联后一端接地，另一端连所述PMOS管的漏极后连接至所述存储介质的电源端；

所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端相连后接所述电压监测芯片的复位输出脚，所述第四电阻的另一端接地，所述第五电阻接所述三极管的栅极，所述三极管的发射极接地。

10.一种MDVR，与汽车的电源连接，其特征在于，包括权利要求5至9任一项所述的存储介质保护电路以及所述视音频编码芯片。

11.一种汽车，其特征在于，安装有权利要求10所述的MDVR。