[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及半导体器件。本发明能够减少在第一半导体芯片中产生并通过硅通孔传递到第二半导体芯片的热量。第一半导体芯片具有第一硅通孔。每个第一硅通孔被布置于成m行和n列(m>n)排布的网格点中的任意一个上。第一半导体芯片还具有第一电路形成区。第一电路被形成于第一电路形成区内。第一电路在与第二半导体芯片通信的同时执行信号处理。在平面图中，第一电路形成区不与通过耦接成m行和n列排布的最外侧网格点来界定的硅通孔区重叠。在平面图中，一些连接端子位于第一电路形成区与硅通孔区之间。

相关申请的交叉引用

在2013年6月6日提交的日本专利申请No.2013-119998的公开内容，包括说明书、附图和摘要，全文通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体器件，并且例如是可应用于其中第一半导体芯片和第二半导体芯片堆叠于布线板之上的半导体器件的技术。

背景技术

一种用于将多个半导体芯片封装于布线板之上的方法采用将第二半导体芯片堆叠于第一半导体芯片之上。日本未经审核的专利公开No.2005-183934公开了通过凸点将第二半导体芯片耦接至第一半导体芯片的技术。

另一方面，通过使用硅通孔(silicon-through via)将半导体芯片耦接至另一个半导体芯片的方法正在研究中。硅通孔被设置，以便沿着基板的厚度穿过半导体芯片的基板。例如，日本未经审核的专利公开No.2011-243724所公开的方法包括：堆叠各自具有形成于其内的硅通孔的存储器芯片，并且使用硅通孔来耦接这些存储器芯片。

在日本未经审核的专利公开No.2011-243724中，最下层的存储器芯片通过焊料凸点耦接至布线板。在最下层的存储器芯片周围，设置了框架状的金属部件，以便包封存储器芯片。另外，金属基板还被安装于最上层的存储器芯片之上，粘接部件位于它们之间。在该专利公开中提供了框架状的部件，以便增加布线板的刚度。

发明内容

如果第二半导体芯片被安装于第一半导体芯片之上，则第二半导体芯片的散热性能会下降。因此，本发明的发明人已意识到需要尽可能地防止热量传递到第二半导体芯片。尤其是在第一半导体芯片和第二半导体芯片通过设置于第一半导体芯片内的硅通孔相互耦接的情况下，本发明人已意识到需要防止在第一半导体芯片中产生的热量通过硅通孔传递到第二半导体芯片。根据下面在本说明书及附图中的描述，本发明的其他问题及新特征将变得显而易见。

根据一种实施例，第一半导体芯片被安装于布线板的第一表面之上并且在平面图中是矩形的。第一半导体芯片具有面朝布线板的第一表面的元件形成表面。第一半导体芯片通过连接端子耦接至布线板。第一半导体芯片具有多个第一硅通孔。每个第一硅通孔被布置于成m行和n列(m>n)排布的网格点中的任意一个上。第二半导体芯片被布置于第一半导体芯片之上并且与第一半导体芯片的第一硅通孔电耦接。第一半导体芯片还具有第一电路形成区。第一电路被形成于第一电路形成区内。第一电路在与第二半导体芯片通信的同时执行信号处理。在平面图中，第一电路形成区不与硅通孔区重叠，其中硅通孔区通过耦接排布成m行和n列排布的最外侧网格点来界定。在平面图中，一些连接端子被定位于第一电路形成区与硅通孔区之间。

本实施例能够减少在第一半导体芯片中产生的热量通过硅通孔至第二半导体芯片的传递。

附图说明

图1是示出根据一种实施例的半导体器件的配置的截面图。

图2示意性地示出了用于形成半导体器件的布线板、第一半导体芯片及第二半导体芯片的相对位置。

图3是示出其中第一半导体芯片与布线板耦接的部分以及其中第一半导体芯片与第二半导体芯片耦接的部分的配置的截面图。

图4示出了第一硅通孔在硅通孔区内的示例性布局。

图5示出了布线板的开口的示例性形状。