[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410246711.7 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN104241443A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 白荷妍;崔正薰;沈玖奂 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制造方法,所述制造方法包括:

形成光电转换单元;以及

形成连接到所述光电转换单元的电极,其中,形成所述电极的步骤包括:

形成连接到所述光电转换单元的晶种形成层;

在所述晶种形成层上形成抗氧化层以防止所述晶种形成层的氧化;

执行热处理使得所述晶种形成层的材料与所述光电转换单元的材料彼此反应以在所述晶种形成层和所述光电转换单元彼此相邻的部分处形成化学结合层;

在掩模被布置在所述晶种形成层上的状态下在所述晶种形成层上形成导电层和覆盖层;以及

使用从所述导电层和所述覆盖层中选择的一个作为掩模来对所述晶种形成层进行图案化。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述抗氧化层包括金属。

3.根据权利要求2所述的制造方法,其中,所述抗氧化层包括钛Ti、钽Ta、钨W、钼Mo、铬Cr、锌Zn、包含上述中的至少一种的合金以及包含上述中的至少一种的氮化物中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述晶种形成层具有大约10nm至大约1μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述抗氧化层具有小于所述晶种形成层的厚度。

6.根据权利要求5所述的制造方法,其中,所述晶种形成层的厚度与所述抗氧化层的厚度的比率为大约2:1至大约200:1。

7.根据权利要求6所述的制造方法,其中,所述晶种形成层的厚度与所述抗氧化层的厚度的比率为大约2:1至大约10:1。

8.根据权利要求5所述的制造方法,其中,所述抗氧化层的厚度为大约5nm至大约100nm。

9.根据权利要求1所述的制造方法,其中,执行所述热处理的步骤包括在大约350℃至大约450℃的热处理温度执行所述热处理。

10.根据权利要求1所述的制造方法,其中,执行所述热处理的步骤包括以大约5分钟至大约1小时的热处理时间执行所述热处理。

11.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述导电层具有大约20μm至大约30μm的厚度,并且所述覆盖层具有大约1μm至大约10μm的厚度。

12.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述晶种形成层包括镍Ni,并且所述化学结合层包括硅化镍NiSi。

13.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述导电层包括铜Cu,并且所述覆盖层包括锡Sn。

14.根据权利要求1所述的制造方法,其中,对所述晶种形成层进行图案化的步骤包括使用蚀刻溶液选择性地蚀刻所述晶种形成层来对所述晶种形成层进行图案化。

15.根据权利要求14所述的制造方法,其中,所述蚀刻溶液包括硝酸和盐酸。

16.根据权利要求1所述的制造方法,所述制造方法进一步包括在形成所述导电层和所述覆盖层的步骤与对所述晶种形成层进行图案化的步骤之间,使用从所述导电层和所述覆盖层中选择的一个作为掩模来对所述抗氧化层进行图案化。

17.一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:

光电转换单元;

电极,所述电极包括与所述光电转换单元相邻的化学结合层、形成在所述化学结合层上的晶种层、形成在所述晶种层上的导电层以及形成在所述导电层上的覆盖层;以及

抗氧化层,所述抗氧化层被布置在所述化学结合层与所述导电层之间以防止所述晶种层的氧化,

其中,所述抗氧化层包括钛Ti、钽Ta、钨W、钼Mo、铬Cr、锌Zn、包含上述中的至少一种的合金以及包含上述中的至少一种的氮化物中的至少一种。

18.根据权利要求17所述的太阳能电池,其中,所述抗氧化层具有大约5nm至大约100nm的厚度。

19.根据权利要求17所述的太阳能电池,其中,所述晶种层包括镍Ni,并且所述化学结合层包括硅化镍NiSi。

20.根据权利要求17所述的太阳能电池,其中,所述导电层包括铜Cu,并且所述覆盖层包括锡Sn。

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