[发明专利]一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备

权利要求书

1.一种新型的Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，其特征在于在有机半导体P3HT薄膜上，通过离子束沉积的方法嵌入Ni的纳米颗粒，形成一种颗粒薄膜结构。

2.如权利要求1所述的Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件的制备方法，其特征在于制备过程将旋涂与离子束沉积技术相结合，具体步骤如下：

1)将有机半导体P3HT溶于三氯甲烷有机溶剂中，浓度为10mg/ml，在常温下避光搅拌24小时，使P3HT充分溶解均匀；

2)将步骤1)的混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速为1000-4000rpm，旋涂时间为20-60s；

3)将步骤2)的得到的覆盖有P3HT的玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的温度下真空干燥10小时，得到P3HT薄膜；

4)将步骤3)得到的P3HT薄膜作为衬底安装在离子束沉积系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于6.67×10^-4Pa后开始沉积镍薄膜，得到最终的Ni/P3HT磁电阻器件；

5)步骤4)所述的离子束沉积过程中，靶材选用99.99％的镍靶，衬底温度保持常温，衬底以20rpm的速率自转；

6)步骤4)所述的离子束沉积过程中，应向真空室通入99.999％的高纯Ar气，真空室的Ar气压强为1.4×10^-2Pa，Ar气流量为3sccm，溅射束流为20mA，溅射能量为1000eV，溅射时间为20分钟。

3.如权利要求2所述的制备Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件的方法，其特征在于所述的旋涂仪转速优选2000rpm，旋涂时间优选30s。