[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410242413.0 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103985765A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L27/12;G09G3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种包括反相器电路和像素的半导体器件，
所述反相器电路包括：
第一晶体管；
第二晶体管；且
其中所述第一晶体管的源极电连接至所述第二晶体管的漏极；
其中所述第一晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的源极，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，
其中所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上，且
其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率，且
所述像素包括第三晶体管，
其中所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层的单层形成。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是底栅型n沟道晶体管。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都包括源电极和形成在所述第二氧化物半导体层上的漏电极。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管是耗尽型晶体管，且所述第二晶体管是增强型晶体管。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层都包括铟。
6.一种包括反相器电路和像素的半导体器件，
所述反相器电路包括：
第一晶体管；
第二晶体管；且
其中所述第一晶体管的源极电连接至所述第二晶体管的漏极；
其中所述第一晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的漏极，
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，
其中所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上，且
其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率，且
所述像素包括第三晶体管，
其中所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层的单层形成。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是底栅型n沟道晶体管。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都包括源电极和形成在所述第二氧化物半导体层上的漏电极。
9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是增强型晶体管。
10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层都包括铟。
11.一种包括驱动器电路和像素的半导体器件，
所述驱动器电路包括第一晶体管，
其中所述第一晶体管的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和形成在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，
其中所述第一氧化物半导体层具有不同于所述第二氧化物半导体层的电阻率，且
所述像素包括第二晶体管，
其中所述第二晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层的单层形成。
12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是底栅型n沟道晶体管。
13.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管包括源电极和形成在所述第二氧化物半导体层上的漏电极。
14.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层都包括铟。
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