[发明专利]一种用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410242103.9 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN104016691A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 薛军柱;吴斌;沈明科;邬晓滢;葛历峰 申请(专利权)人: 浙江自立股份有限公司
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 312300 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 rh 真空 精炼炉 尖晶石 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖,其特征在于,所述镁尖晶石砖中各成分的重量百分数为:

2.如权利要求1所述的用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖,其特征在于,所述镁尖晶石砖中各成分的重量百分数为:

3.一种用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将镁尖晶石砖的各原料混合后,经模压干燥而成;

所述镁尖晶石砖的原料的重量份组成为:

其中,镁铝尖晶石A的粒度级配为:

镁铝尖晶石B的颗粒中位径≤5um;

镁铝尖晶石A和镁铝尖晶石B的成分相同,其主要成分均为:

MgO               88~91wt%;

Al2O3             8~10wt%;

且MgO和Al2O3的重量百分数之和≥98%。

4.如权利要求3所述的用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖的制备方法,其特征在于,所述镁尖晶石砖的原料的重量份组成为:

5.如权利要求3或4所述的用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖的制备方法,其特征在于,所述镁铝尖晶石A和镁铝尖晶石B均由电熔法制备得到。

6.如权利要求3或4所述的用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖的制备方法,其特征在于,干燥温度为180~200℃。

7.如权利要求6所述的用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖的制备方法,其特征在于,干燥时间为4~6h。

8.如权利要求3或4所述的用于RH真空精炼炉的镁尖晶石砖的制备方法,其特征在于,将镁尖晶石砖的各原料混合时,先将粒径为1~0mm以上大小的颗粒混合均匀,然后将得到的混合物依次与酚醛树脂、其余组分混匀。

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