[发明专利]一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法

权利要求书

1.一种硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，其特征在于，待检测的硅通孔结构包括：硅通孔、硅衬底、氧化物层、填充金属、第一金属电极以及第二金属电极；所述硅衬底为重掺杂硅衬底；所述硅通孔位于所述硅衬底上；所述氧化物层位于所述硅通孔内壁上；所述填充金属填充在以所述氧化物层为侧壁的硅通孔内；所述第一金属电极与所述填充金属相连，并外露于所述硅通孔结构的封装外壳，所述第二金属电极与所述硅衬底形成欧姆连接，并外露于所述硅通孔结构的封装外壳，所述硅通孔结构自身形成MOS结构；

通过在第一金属电极以及第二金属电极施加直流电压，测量所述MOS结构的漏电流；

测量所述MOS结构的击穿电压；

在测量的漏电流不超过10^-9A量级的情况下，判断出所述硅通孔结构的绝缘层完好；

在测量的击穿电压属于预定击穿电压范围内的情况下，判断出所述硅通孔结构的绝缘层淀积质量符合要求。

2.如权利要求1所述的硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，其特征在于：所述预定击穿电压范围为器件标准击穿电压的正负20％范围。

3.如权利要求1所述的硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，其特征在于，所述氧化物层包括：绝缘层、粘附层、阻挡层以及种子层；所述硅通孔内壁上依次淀积所述绝缘层、所述粘附层、所述阻挡层以及所述种子层。

4.如权利要求1所述的硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，其特征在于：所述硅衬底为低阻硅陪片。

5.如权利要求1所述的硅通孔绝缘层淀积工艺检测方法，其特征在于，还包括步骤：通过第一金属电极以及第二金属电极施加负向偏压，测量MOS结构绝缘层电容C₀；

通过公式计算绝缘层厚度；

其中，ε为真空介电常数，l为MOS结构氧化层厚度，R_B为硅通孔半径。